衬底温度对纳米晶硅薄膜微结构的影响.pdfVIP

第 2卷 第 4期 材 料 研 究 与 应 用 Vo1．2，No．4 2OO8年 l2月 MATERIALSRESEARCH AND APPLICATI()N Dec．2OO8 文章编号：1673—998l(2008)O4一O475一O4 衬底温度对纳米晶硅薄膜微结构的影响* 刘翠青 ，陈城钊 ，邱胜桦 ，吴燕丹 ，李 平 ，余楚迎 ，林璇英 (1．韩山师范学院物理与电子工程系，广东 潮州 521O4l；2．汕头大学物理系，广东 汕头 5l5063) 摘 要：采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术 。在较高的工作气压 l3OPa和较高的射频功 率 7Ow 下，在高于 1OO℃低温下．以0．14nm／s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜．研究结果表明。衬底 温度对薄膜晶化率、表面的粗糙度和沉积速率影响很大．当衬底温度高于 100℃时，薄膜 由非晶相向晶 相转化．随着衬底温度升高，薄膜晶化率提高。沉积速率缓慢增加．当温度超过 30o℃时，薄膜的晶化率 降低，薄膜表面的粗糙度增加，均匀性降低． 关键词 ：纳米晶硅薄膜 ；衬底温度 ；微结构 ；沉积速率 中图分类号：TM9l4．4 文献标识码 ：A 纳米晶硅氢合金 (nc—Si：H)薄膜是在氢化非 PECVD系统．反应室为 圆柱形 ，电极面积 约 lO0 晶硅 (a—Si：H)薄膜中嵌有一些微小晶粒．由于微 cm ，上下电极相距 2．Ocm，衬底为 Corning7O59玻 小晶粒的存在，使纳米晶硅氢合金材薄膜兼具非晶 璃片和单晶Si片．反应室压强为 l3OPa，射频功率 硅和单晶硅材料的一些优异性质 ，如可在低温下大 为 7Ow，氢稀释度 R一 [H ]／([H ]+[siH ])一 面积生长，容易实现重掺杂，具有较高的电导率等 ， 99 ，沉积过程中保持[H ]+[SiH ]的气体总流量 被认为是继非晶硅电池之后最有竞争力的下一代薄 为 5Ocm。／min，沉积时间为 1h，衬底温度在 1O0～ 膜光伏电池的新型半导体材料[1]． 35O℃范围内变化． 采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积 用 Labram I型共焦显微 Raman光谱仪测试薄 技术 (RF—PECVD)，以SiH 和 H2为源气体 ，在高 膜的 Raman谱来估算薄膜 晶化率，分辨率 1．O 氢气稀释比和高功率密度下，同时匹配较高 的反 cm_。，He—Ne激光波长 632．8nm，聚集光斑直径为 应气压，我们在实验室高速制备 出优质 n Si：H 1m；用D italInstrument公司生产的原子力显微 薄膜 引． 镜 (AFM)观察薄膜表面形貌，并用计算机对薄膜表 在 PECVD过程中，沉积温度是重要参数之一． 面形貌进行分析；用 UV—VIS85o0紫外可见分光光 它不仅影响沉积过程的沉积速率，还影响nc—Si：H 度计测得薄膜的紫外可见光透射谱，然后计算薄膜 薄膜的微结构和光电特性．本论文中，我们主要探讨 厚度和沉积速率． 衬底温度对薄膜微结构和沉积速率的影响，希望能 够在廉价的玻璃衬底上低温快速地制备优质 nc—Si ：H薄膜． 2 实验结果与分析 1 样品制备和测试 2．1 衬底温度对薄膜微结构 的影响