采用正交实验优化单晶硅太阳电池表面织构化工艺.pdfVIP

第 2卷 第 4期 材 料 研 究 与 应 用 VO1．2，No．4 2OO8年 12月 MATERIALSRESEARCH AND APPLICATI()N Dec．2OO8 文章编号 ：1673—998l(2OO8)O4一O441一O6 采用正交实验优化单晶硅太阳电池表面织构化工艺 赵汝强，江得福 ，李军勇，梁宗存，沈 辉 (中山大学太阳能系统研究所．广东 广州 51O006) 摘 要：采用正交实验的方法对碱各向异性腐蚀制备单晶硅绒面进行了优化。制备的硅片样品绒面反射 率为 l1．O7％．在表面沉积减反射膜(ARC)后的平均反射率为 2．56 。制绒液中Na()H的质量分数为 1～3 时，制备的单晶硅绒面反射率较低．Na。Si()。的存在为反应提供了更多的起始点 ，所制作的绒面 排列更为紧密 ．但 NaSi()的浓度过高会阻碍反应进行，得不到理想的绒面．IPA可 以加速反应产生的 氢气泡从硅片表面逃逸 ，减弱 Na()H 的腐蚀强度 ，获得 良好 的各 向异性因子．随着制绒反应时间延长， 硅片表面的金字塔长大，反射率降低 ，这个过程是 “金字塔”不断长大和被削平 的过程．常温下难 以制得 绒面 ，要在减少醇挥发的情况下尽量提高反应温度． 关键词 ：单 晶硅 ；表面织构化 ；正交实验 ；各向异性 中图分类号 ：TM9l4．4 文献标识码 ：A 2。07年世界太 阳电池产量达 4．279GW，比 2O06年增长 了69 L】]，其 中以单 晶硅太 阳电池为 1 实验原理和实验过程 主．与多晶硅太阳电池相 比，可有效地在单晶硅太阳 电池表面制作陷光结构，从而大大减少太阳光在硅 1．1 实验原理 片表面的反射损失． 在高温下，硅与碱发生如下的化学反应：si+ 化学制作绒面的原理是碱溶液对单晶硅不同晶 2OH一+H：O—SiO +2H 十，因而通常用热的碱 面的溶解速率不同，以致在单晶硅表面形成 了随机 溶液来腐蚀硅片．由于硅晶体 中晶向不同的硅原子 分布的金字塔，增加了光在硅片表面的反射吸收次 排列间距有异 ，因此碱溶液的腐蚀速度也不相同．文 数，从而降低 了太阳电池的表面反射率．目前，国内 献中将晶体硅的(1OO)面与(1l1)面的被腐蚀的速率 外从事单晶硅表面碱溶液腐蚀的研究人员分别采用 之比定义为 “各 向异性 因子”(AnisotropicFactor， NaOH，KOH，Na3PO4，NaHCO3和 Na2SiO3等溶液 AF)l8]．通过改变碱溶液的浓度和温度，可以有效地 进行单晶硅表面织构的制备[2]．为了获得 良好的单 改变各向异性因子，使 [1OO]方 向的腐蚀速度较快， 晶硅表面反射率和实验的可重复性，及对金字塔结 而在[1l1]方向的腐蚀速度较慢．当AF一1O时，对 构的形成机理和影响因素有更为透彻的理解 ，本文 各向异性制备绒面效果最佳．(1OO)面的腐蚀速度比 选择 NaOH作为反应物 、异丙醇作为添加剂，通过 (1l1)面大数十倍 以上 ，所 以[1OO]晶向的单晶硅片 正交实验对单晶硅表面织构化技术进行优化，并研