SiCl4／H2为气源低温沉积多晶硅薄膜光电特性的研究.pdfVIP

第 2卷 第 4期 材 料 研 究 与 应 用 Vol|2，NO．4 2OO8年 l2月 MATERIALSRESEARCH AND APPLICATI()N Dec．2OO8 文章编号 ：l673—9981(2008)O4一O437一O4 SiCI4／H2为气源低温沉积多晶硅薄膜光电特性的研究 刘丽娟 一，罗 以琳 ，林璇 英 (1．汕头大学物理系，广东 汕头 515O63；2．深圳市宇光高科新能源技术有限公司，广东 深圳 5l8l16) 摘 要 ：采用 PECVD技术 ，通过改变射频功率制备 了晶化率不同的多晶硅薄膜．对多晶硅材料光照稳 定性的研究表明，晶化率较低的多晶硅稳定性好于普通非晶硅材料，但仍然存在着光衰减；晶化率较高 的多晶硅材料显示出稳恒光电导效应，不存在光衰退现象；光照时多晶硅材料的电导率增加，光注入后 因光生载流子对缺陷态的填充使费米能级上移，激活能减小． 关键词：多晶硅薄膜；持续性光 电导；晶化率 中图分类号 ：()484．3 文献标识码 ：A 多晶硅薄膜具有与 a—Si：H薄膜相似的对可见 SiCl和 H 的流量分别为8．O，4Ocm。／min．通过改 光吸收系数高的特性 ，同时又具有较高的载流子迁 变射频功率制备晶化率不同的薄膜． 移率和光照稳定性等优点．优化的未掺杂的多晶硅， 具有较好的光电特性和较低 的制备成本，被广泛应 卤钨灯 用于大规模集成电路和半导体分立器件 [1]．多晶硅 的光电导机理与单晶硅的不同，是多子效应的结果． 多晶硅薄膜因存在晶粒间界 ，所以存在晶粒 间界势 垒．多晶硅薄膜的载流子输运和电导受晶粒 间界势 机械泵 垒的控制．光照作用使晶粒内产生附加载流子 ，光生 附加载流子在晶粒间界处通过界面陷阱复合，这一 过程影响到界面的电荷并使晶粒间界的势垒高度降 低，于是 由晶粒间界势垒控制的多子 电流增加，形成 光电导．多晶硅薄膜的平均光电导率与晶化率、晶粒 图 1 电导率测试实验装置 大小、光照强度、吸收系数、薄膜厚度 、晶粒间界密度 (陷阱密度)以及陷阱的俘获截面有关．本文研究了 测量电导率时，样品放在真空度低于 3Pa的真 光照和结晶度对多晶硅薄膜电学特性的影响，这对 空室中(屏蔽光和电磁)，样品电极为银胶共面平行 多晶硅薄膜电导的研究具有一定意义． 电极 ，电极间的狭缝为 1mm×1Omm．实验装置如 1 实验方法 图1所示．采用伏安法测量样品的电导率，无光照条 件下测量暗电导率．测量光电导率时采用 300w 卤 采用频率 13．56MHz的PECVD方法制备多 钨灯作为光源 ，卤钨灯 由变压器提供 2OV直流电 晶硅薄膜 ，制备工艺如下：反应室压强8OPa，玻璃衬 压，光通过窗 口垂直入射到样 品上 ，由控温仪设置样 底温度 300℃，气体总流量保持 48cm。／min，其中 品温度．Keithley公司生产 的型号为 617的可编程 静电计可提供 O～5OOV的电压输 出，并能测量相应 收稿 日期 ：2008一O7—18 *基金项 目：国家重点基础研究发展规划项 目资助的课题(G200oo282O8) 作者简介 ：刘丽娟 (1982一)，女，山东菏泽人，工程师，硕士． 438 材 料 研 究 与 应 用 的电流大小． 在光照条