PECVD法低温制备纳米晶硅薄膜晶化特性的Raman分析.pdfVIP

第 2卷 第 4期 材 料 研 究 与 应 用 VolJ2，No．4 2OO8年 l2月 MATERIALSRESEARCH AND APPIICATI()N Dec．20O8 文章编号 ：1673—9981(2。O8)O4一O428一O4 PECVD法低温制备 纳米晶硅薄膜晶化特性的Raman分析* 邱胜桦 ，陈城钊 ，刘翠青 ，吴燕丹 ，李 平 ，林璇英 (1．韩山师范学院物理与电子工程系，广东 潮州 521O41；2．汕头大学物理系，广东 汕头 515O63) 摘 要 ：以siH 与 H 为气源 ，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术 ．在较低 的温度 (200℃) 和较高的压强(23OPa)下，在普通的玻璃衬底上制备 出沉积速率达 8×1O 。m／s，晶化率大于 6O 的纳 米 晶硅薄膜．利用 Raman谱分析硅烷浓度和射频功率对纳米 晶硅薄膜的晶化特性的影响．结果表 明，薄 膜的晶化率、沉积速率与硅烷浓度和射频功率存在着密切的关系．随着硅烷浓度的降低．即氢稀释率的 提高，晶化率提高，而沉积速率随着射频功率 的增大而增大．当硅烷体积浓度为 l 、射频功率为 7Ow 时，获得 晶化率接近 7O％的优质纳米晶硅薄膜． 关键词 ：纳米 晶硅薄膜 ；晶化率 ；RF．PECVD；Raman谱 中图分类号 ：()484．4；()471．4 文献标识码 ：A 近年来 ，在硅基光 电薄膜制备中常用的方法都 验室用常规的 13．56MHz的RF—PECVD系统在高 是基于化学气相沉积法 (cVD)发展而来的L1。]．其 氢稀释 (氢稀释率大于 95 )条件下，制备出沉积速 中用射频等离子体增 强化学气相沉积法 (RF— 率达 8×10 。m／s，晶化率大于 60 的纳米晶硅薄 PEcVD)制备的薄膜 比用其他方法制备的薄膜要好 膜．本文用 Raman谱分析了硅烷浓度和射频功率对 得多，比如有较低的隙态密度和较大的光电导等 ，容 纳米晶硅薄膜晶化率 、沉积速率的影响，讨论 了氢在 易实现非晶半导体的掺杂效应 ，可制造出薄膜太阳 纳米晶硅薄膜形成和生长中的作用． 能电池和薄膜晶体管等电子器件． 用传统的低温低压 (7OPa)的RF—PECVD技 1 实验方法 术制备的氢化微 晶硅薄膜，沉积速率很低 (o．2× 10 。～O．5×1O 。m ／s)，这样低的沉积速率影响 实验所用 PEcVD薄膜沉积系统(PEcV)【_35o) 了生产效率 ，难以形成大规模生产，不适合推广应 是由中国科学院沈阳科学仪器厂研制 的．反应室 内 用．为了提高沉积速率 ，必须加大射频辉光放电的激 电极面积约 1O0cm ，上下电极间距为 2．0cm，上电 励功率，然而，太大的激励功率可能造成高能量的离 极接射频功率源 ，衬底置 于下 电极上 ，采用 Cor— 子对薄膜生长表面的轰击，影响材料的质量．为了解 ning7059玻璃片和单晶Si片，反应室内背景真空度 决这一矛盾，我们采用高氢稀释 SiH ，运用高的反 高于 2×1O Pa 应气压 (13OPa)，匹配 比较高的激励功率 (≥7o 以siH ／H。为源气体 ，在气体总流量为 1OO w)，这样既可加快等离子体区SiH 的分解速度，又 cm。／min，反应气压为 230Pa，衬底温度为 2OO℃， 可增加原子氢的密度，降低等离子体中电子温度，从 沉积时间 1h的条件下，我们制备了2个系列的样 而降低离子对薄膜生长表面的轰击能量．我们在实 品，其中A系列样品的射频功率为 7Ow ，硅烷体积 收稿 日期 ：2。08—06—26 *基金项 目：韩 山师范学院扶持基金资助的课题 (Fc20。508)