晶体管（下）.pdfVIP

腥 …一…一～～、………………一一…，一一………一～ ……～一～，¨藿嚣脯 G 晶体管 (下 ) 三、场效应管 单位栅极电压增量对源漏问电导的贡献。夹断电 置电压 (一般与漏极电压极性相反 )。开启电压 场效应管 (FET)因为通过它的电流只能是空 穴 电流或电子 电流的一种，故又称为单极性器件。 又因为流经该器件的电流受控于外加电压所形成 的电场，故称为场效应管。 衬底 (B)需要连接的情况。 II(a)和 fI(b) 各种场效应管的其同特点是 ：输入阻抗极高， 噪声小，特性受温度和辐射的影响小，因而特别 适用于高灵敏度、低噪声的电路里，如小信号放 I D D 大器、VHF放大器、混频器、振荡器等。 G 暮bSB Go．j泰毛SB1 1．结型场效应管 结 型场 效应 管 (JFET)是 利 用 导 电沟 道 之间耗尽层的宽窄来控制 电流，其输入电阻在 10。～10。Q之间，它分为N和 P沟道两种 ，其符 号如 图 5所示。 ≥≥G嚼 S (a)N型沟道JFET (b)P型沟道JFET 图5 2．绝缘栅金属氧化物场效应管 表9FET的电压极性要求 绝缘栅金属氧化物场效应管 (MOSFET)的 类 型 VDs极性 VGs极性 栅极与管内的沟道是绝缘的，因此具有更高的输 N沟道增强型 入阻抗 (可达 10 Q oMOSFET根据零偏置导 N沟道耗尽型 通与否分耗尽、增强两种类型，根据沟道载流子 P沟道增强型 是空穴或电子分P和N两种类型。跨导 g。是衡 P沟道耗尽型 量FET栅极电压对漏极电流控制能力的参数，指 58 200VOL{2 i…一…一’… …～……’’…一～…一…一…’、’…’一 …一………一 …～……’、’～一 导通 电阻较大，有较大静态 I J卜日 I I 一 损耗 低导通电阻 (低饱和压降) 其 中以N沟道增强型应用较多。 开关损耗小 开关损耗大 (2)不论是哪一类FET，它的栅极基本上不 漏极电流正比于沟导的宽长 集电极 电流近似正 比于发射极 消耗 电流 ，故要求输入 电阻很高时，应选用FET。 比 周长和面积 (3)由于 FET传输特性的非线性 ，其跨导与 跨导线性 跨导非线性 工作点有关，IvGsI愈低 ，g。愈高。 高击 穿 电压 ，由沟道一漏 高击 穿 电压 ．由基 区一集 电极 (4)MOSFET珊极 的绝缘 性质，易在外 电 P—N结的轻掺杂区决定 P—N结的轻掺杂区决定 场的作用下绝缘被击穿 ，故保存和焊接时均应采