低氮气压下燃烧合成Al掺杂βSiC粉体的微波介电性能.pdfVIP

第38卷 增刊2 稀有金属材料与工程 V01．38，Suppl．2 RARE ANDENGINEERING 2009年 12月 METALMATERlALS December2009 低氮气压下燃烧合成Al掺杂p-SiC粉体的 微波介电性能 苏晓磊1，一，周万城1，李智敏3，罗发1，朱冬梅1 (1．西北工业大学凝固技术国家重点实验室，陕西西安710072) (2．西安工程大学，陕西西安710048) (3．西安电子科技大学，陕西西安710071) 成的方法制各出Al掺杂伊SiC粉体。用XRD、SEM和EDS对其进行了表征，同时在频率8．2—12．4GHz范围内对其进 行介电常数的测试。结果表明未掺杂Al时生成富碳口．SiC粉体；当掺杂Al时并未生成AIN．SiC固溶体，而是Al原子 t001％ 进入到碳化硅晶格中占据硅的位置形成了AI／SiC固溶体，引起p-SiC晶格常数的逐渐增大。当AI掺杂含量为5 时晶粒最小，同时出现了A1203杂质相，但是其介电常数实部和介电损耗达到最大值，同时对Al对口．SiC介电损耗的 影响进行了讨论。 关键词：口．SiC粉体；燃烧合成；介电性能 中图法分类号：TQl74．75+8．12文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2009)S2．0055．04 碳化硅是一种性能优异的结构陶瓷材料，具有硬 发展起来的燃烧合成工艺(也称自蔓延高温合成)是低 度高、高温强度大、抗蠕变性能好、耐化学腐蚀、抗 价制备陶瓷材料的新技术，具有节能、高效、低成本 氧化性能好、热膨胀系数小、高热传导率等特点[IJ。 等优点，特别是由于其具有较高的温度梯度和较快的 同时，fl-SiC还是一种宽带隙半导体(～2．2eV)，可用于 冷却速率使其很容易形成一些新的非平衡或者非稳态 高功率、高频率和高温电子器件【2】等领域。近年来由 相，同时可以在一些无机材料合成的最终产物中固溶 于电磁波污染越来越严重，而碳化硅作为重要的电磁 进入一些掺杂元素对其性能进行改善【6】。C／Si／Al体系 波吸收材料其介电性能受到了广泛的关注。然而纯的 通常被用来在高的氮气压力(3～12 MPa)条件下制备 碳化硅粉体其介电性能较差，经过P型或者11型掺杂 后可有效的改善其介电性能。其中P型掺杂主要有Al 时进行了n型和P型掺杂。然而在较低的氮气压力下 和B，而11型掺杂主要有N和P原子，分别替代SiC (0．1MPa)SiC．AIN固溶体生成的可能性可能会降低， 晶格中Si或C原子形成替代式掺杂，从而改善其介电 从而达到单纯的n型或者P型掺杂以达到对SiC介电 性能的改善。 性能。Zhang等采用Sel．gol和碳热还原的方法制备了 N和Al共掺杂的SiC粉体，但是掺杂后的SiC介电性本实验采用燃烧合成方法，以Al为掺杂源在较低 能并没有得到提高反而下降了【3】。而赵东林等采用激 压力的氮气气氛中(0．1MPa)制备出Al掺杂卢．SiC粉 光法合成出了纳米SiC／N粉体，其研究结果表明大量体。采用XRD、SEM和EDS对其微观结构进行分析， 的氮原子固溶进入到碳化硅晶格后形成带电缺陷(即n 同时在8．2—12．4GHz范围内对其介电性能进行测试， 型掺杂碳化硅)，使其介电性能得到了很大的改善【41。 并对其介电损耗机理进行讨论。 可以推知在11型和P型共同掺杂的条件下由于带电缺 1