专题1苛刻条件下合成与制备技术.pdfVIP

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专题1 苛刻条件下合成与制备技术 随着社会高科技的迅猛发展,对化合物和材料提出了各种各样的要求,也越来越要求 化学家能够合成更多的具有新型结构和新型功能的化合物和材料。在现代合成中,愈来愈广 泛地应用极端条件下的合成方法与技术来实现通常条件下无法进行的合成, 并在这些极端 条件下开拓多种多样的一般条件下无法得到的新化合物、新物相与物态。 1.高温合成 高温合成技术是化合物和材料合成的一个重要手段。一般通常的温度都在 1000℃以上。 如高熔点金属粉末的烧结、难熔化合物的熔化和再结晶、陶瓷体的烧成等都需要很高的温度。 在实验室中,主要是利用马弗炉来获得高温,根据加热体的不同,可以获得从 1000 到 3000℃的高温,甚至更高。炉内气氛可以是空气气氛,也可以是其它气氛,炉体可以是箱式, 也可以是管式等。测量高温通常使用热电偶高温计,一般可在室温到 2000 ℃之间应用,某 些情况下甚至可达 3000 ℃。在更高的温度下可用光学高温计,它的测量范围是 700~6000 ℃。光学高温计只能测量高温,低温段则不准确。图 1.1 给出了实验室常见的高温炉和管式 炉的结构示意图。 图1.2 管式炉 图1.1 箱形高温炉结构 1 外壳;2 绝热材料;3 套管; 1 硅碳棒;2 炉膛;3 炉体; 4 硅碳棒;5 炉心管;6 面板 4 接温度控制;5 炉门 高温下常见的反应是固相反应,它不同于溶液中的反应,他们在常温常压下很难进行。 例如,从热力学角度讲,MgO(s)和 Al O (s)反应生成尖晶石 MgAl O (s)的反应完全可以自发 2 3 2 4 进行。然而,在实际上,在 1200 ℃以下反应几乎不能进行,在 1500 ℃时反应也需数天才能 完成。原因有两点:第一,反应的第一阶段,即在反应物晶粒界面上或与界面邻近的晶格中 生成 MgAl2O4 晶核,由于产物晶核与反应物结构不同,因而产物晶核的生成很困难;第二, 进一步实现在晶核上的晶体生长也有相当的难度,这主要是固相间离子的扩散速率非常慢的 缘故。高温下有利于晶核生成和离子扩散,所以能加速反应。 为了降低固相反应的温度,使反应能在比较温和的条件下进行,有一些方法可以降低固 相反应的温度,如将反应物充分破碎和研磨,或通过各种化学途径制备成粒度细、比表面积 大、表面具有活性的反应物原料,然后通过加压成片,甚至热压成型使反应物颗粒充分均匀 接触;或通过化学方法使反应物组分事先共沉淀;或通过化学反应制成化合物前驱物等。这 些方法都非常有利于固相合成反应。 1 2 .高压合成 1955 年,Budy 等人首次利用高压手段人工合成出只有在地球内部条件下才能形成的、 具有重大应用价值的金刚石。之后,人们借助高压方法合成出了自然界中未曾发现的、与碳 具有等电子结构的、硬度仅次于金刚石的立方氮化硼。高压合成,就是利用高压力使物质产 生多型相转变或发生不同元素间的化合得到新相或新化合物的方法。 通常高压的产生有两类,一类是静高压,即利用外界机械加载方式,通过缓慢逐渐施 加负荷挤压所研究的物体或试样,当其体积缩小时,就在物体或试样内部产生高压强。由于 外界施加载荷的速度缓慢,通常不会伴随着物体的升温。常见的静高压产生装置有两类。一 是利用油压机作为动力,推动高压装置中的高压构件,挤压试样,产生高压;二是利用天然 金刚石作顶锤(压砧) ,制成的微型金刚石对顶砧高压装置(diamond anvil cell,简称DAC) 。 这种装置可以产生几十 GPa 到三百多 GPa 的高压,还可以与同步辐射光源、X 射线衍射、 Raman 散射等测试设备联用,开展高压条件下的物质相变、高压合成的原位测试。但是若 以合成材料作为研究目的,微型金刚石对顶砧的腔体太小(约 10-1mm3),难于取出试样来进

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