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实验1 光纤制造和加工认知实践与讨论 一、实验目的 1．了解掌握光纤制作过程和制作工艺。熟悉光纤预制棒的各种制备方法，如： 化学气相沉积（CVD ）法及MCVD 法等光纤预制棒制备方法。 2．了解掌握各种光纤的拉制过程和制备流程，学习掌握光纤的拉丝控制工艺。 3．了解掌握各种光纤的端面加工的方法，如：光纤熔融拉锥、光纤研磨等等。 二、实验原理 1．光纤制造 通信用光纤大多数是由石英玻璃材料组成的。光纤的制造要经历光纤预制棒 制备、光纤拉丝等具体的工艺步骤。最常使用的工艺是两步法：第一步采用四种 气相沉积工艺，即：外气相沉积（Outside Vapour Deposition-OVD ）、轴向气相 沉积（Vapour Axial Deposition-VAD ）、改进的化学气相沉积（Modified Chemical Vapour Deposition-MCVD ）、等离子化学气相沉积（Plasma Chemical Vapour Deposition-PCVD ）中的任一工艺来生产光纤预制棒的芯棒；第二步是在气相沉 积获得的芯棒上施加外包层制成大光纤预制棒。值得强调的是，光纤预制棒的光 学特性主要取决于芯棒的制造技术，光纤预制棒的成本主要取决于外包技术。 2．芯棒制造 芯棒制造技术普遍采用气相沉积工艺，如 OVD、VAD 、MCVD 、PCVD 。 其中OVD 工艺是1970 年美国康宁公司的Kapron 研发的简捷工艺。OVD 工艺的 化学反应机理为火焰水解，即所需的芯玻璃组成是通过氢氧焰或甲烷焰中携带的 气态卤化物（SiCl4 等）产生“粉末”逐渐地一层一层沉积而获得的。OVD 工艺有 沉积和烧结两个具体工艺步骤：先按所设计的光纤折射分布要求进行多孔玻璃预 制棒芯棒的沉积（预制棒生长方向是径向由里向外），再将沉积好的预制棒芯棒 进行烧结处理，除去残留水份，以求制得一根透明无水份的光纤预制棒芯棒， OVD 工艺最新的发展经历从单喷灯沉积到多喷灯同时沉积，由一台设备一次沉 积一根棒到一台设备一次沉积多根棒，从而大大提高了生产率，降低了成本。 图1 OVD 工艺示意图 VAD 工艺是 1977 年由日本电报电话公司的伊泽立男等人，为避免与康宁 公司的OVD 专利的纠纷所发明的连续工艺。VAD 工艺的化学反应机理与OVD 工艺相同，也是火焰水解。与OVD 工艺不同的是，VAD 工艺沉积获得的预制棒 的生长方向是由下向上垂直轴向生长的。烧结和沉积是在同一台设备中不同空间 同时完成的，即预制棒连续制造。VAD 工艺的最新发展由70 年代的芯、包同时 沉积烧结，到80 年代先沉积芯棒再套管的两步法，再到90 年代的粉尘外包层代 替套管制成光纤预制棒。 图2 VAD 工艺示意图 MCVD 工艺是 1974 年由美国ATT 公司贝尔实验室的Machesney 等人开 发的经典工艺。MCVD 工艺为朗讯等公司所采用的方法。MCVD 工艺是一种以 氢氧焰热源，发生在高纯度石英玻璃管内进行的气相沉积。MCVD 工艺的化学 反应机理为高温氧化。MCVD 工艺是由沉积和成棒两个工艺步骤组成。沉积是 获得设计要求的光纤芯折射率分布，成棒是将巳沉积好的空心高纯石英玻璃管熔 缩成一根实心的光纤预制棒芯棒。现MCVD 工艺采用大直径合成石英玻璃管和 外包技术，例如用火焰水解外包和等离子外包技术来制作大预制棒。这些外包技 术弥补了传统的MCVD 工艺沉积速率低、几何尺寸精度差的缺点，提高了质量、 降低了成本，增强了MCVD 工艺的竞争力。 图3 MCVD 工艺示意图 PCVD 工艺是 1975 年由荷兰飞利浦公司的Koenings 提出的微波工艺。长 飞公司采用的就是这种工艺。PCVD 与MCVD 的工艺相似之处是，它们都是在 高纯石英玻璃管管内进行气相沉积和高温氧化反应。所不同之处是热源和反应机 理，PCVD 工艺用的热源是微波，其反应机理为微波激活气体产生等离子使反应 气体电离，电离的反应气体呈带电离子。带电离子重新结合时释放出的热能熔化 气态反应物形成透明的