实验晶体管功率增益和噪声系数的测量.docVIP

晶体管基极电阻的测量 晶体管基极电阻rbb’(器件物理中常用rb表示是晶体管的重要参数之一。它的存在对晶体管的噪声特性、功率增益和发射区电流分布都有不良的影响，在研制和生产中总是要求rbb’尽可能小，对低噪声晶体管尤其如此。 测量rbb’通常有两种方法。第一种是“基极输入信号法”。它是将高频信号加在被测晶体管的基极和发射极之间，然后测出输出短路时共发射极输入阻抗的实部，在T和rerbb’时，这个实部近似等于rbb’。由于只考虑实部，而且rerbb’也经常不易满足，这个方法将引入较大误差，T的条件对测试设备要求较高。 第二种方法称为“反向注入信号法”[1]。它是将高频信号加在被测管收集极和基极之间，而令发射极对交流开路，然后测出发射极电压Ve，并与基极已知串联电阻Rb的电压Vb比较。此法简单，可在频率不太高的条件下测量。 此外，还有电桥零电压法[2]。当被测管时，测量rbb’就要采用分布参数电路[3]。 本实验的目的是掌握测量基极电阻的反向注入信号法，了解基极电阻测量值随频率变化的规律。 一、实验原理 反向注入信号法测rbb’的原理见图1。测试在高频小信号下进行，已知基极串联电阻Rb与rbb’作对比。收集极c接输出电压为V2的高频信号源Eg。在V2作用下，可得发射极高频电压Ve、基极高频电压Vb及rbb’上的电压Vb’。 图2是晶体管高频应用时，其内部作用机理的等效电路。rbb’表示基极与基区之间的等效电阻（在结构上由内基区电阻、外基区电阻和电极接触电阻组成），rce为基区宽度调变引起的等效反馈电阻。由图1和图2可导出（见本实验附录）式 (1) 式中 , , , , 选择测试频率，使 这样，图27.2中的Cc和rc可从图中去掉，并使反向注入信号满足恒流条件，式(1)可化简为 (2) 当取发射极电流时，，选Rb，使RB比rc大很多；对平面管，远大于几十千欧：在测试频率地为几兆赫，对为几个微微法以上的晶体管，式(2)的虚部可以忽略，可进一步简化为 把代入上式，得 (3) 图3为的测量值随频率变化的示电图。随频率升高，开始下降较快，往后几乎不变，取此时的值。 图4是测试的实际电路图。其中为高频信号源，mV为高频微伏表，mA为直流电流表。 二、实验内容 1.在不同频率下测量 Ve和Vb。 2.作(Ve/Vb)-1~f关系曲线。 3.求出rbb’值。 三、实验步骤 1.调整被测晶体管的工作点Vb和Ie，取Ie=1mA 2.接通高频信号源及高频微伏表电源，按说明书要求调整仪器。 3.从信号源“75负载输出”输出的信号按图27.4接到被测晶体管的收集极与地之间，输出电压保持1V。 4.高频微伏表的灵敏度调整好以后，将其探头接到开关S1与地之间。 5.在fT/20ffT/4范围内选不同频率测量Ve和Vb。 四、思考题 1.试分析Ie不同时，对Ve/Vb的影响。 2.怎样选取最佳工作频率。 五、参考资料 [1] L.Van Biljon, Electron Technol.39,108,1962. [2] F.J.Hyde,Proc.Instn..Elect.Engers.106(B),Suppl.17,942,1959. [3] 维强，半导体技术，第4期，P47,1980. 附录 式（27.1）的导出 参阅图5， 设Zarce,,有 因而流过re的电流 分流到基极的电流为 (1) 由流入基极的电流为 其中, , 所以 (2) 由、流过的电流也流到基极，考虑到 ， （3） 这样基极总电流由（1），（2），（3）式之和构成： （4） 已知则可写成 上式可改写为 （5） 式中。把式（5）代入式（4）中，得 上式说明了基极电流与等效电路各元件及频率之间的关系。从图27.5可知 。 把式（4），（5）代入这三式中，并相加整理后，得 （6） 这就是式(27.1)，式中A、B、G1、C1、gce、RB和所代表的意义见式(27.1)后面的符号说明。 考虑到在正常工作电流、工作电压和工作频率范围下，，成立，式(6)可简化为 （7） 适当选择和测试频率，使上式的虚部小于实部1/5，就可忽略虚部，得