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维普资讯
第34卷 第2期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．34No．2
2005年4月 J0URNAL OF SYNTHE~C CRYSTALS
StudyonLarge-size~,-LiAIO2SingleCrystalGrown
byCzochralskiTechnique
PENGGuan—liang ，ZOUJun ，ZhuangYi，ZHANGLian—han ，
ZHOU Guo—qingi ZHOUSheng—mingi XUJuni。GANFu—xii
， ，
(1．ShanghaiInstituteofOpticsandFineMechanics，ChineseAcademyofSciences，Shanghai201800，China；
2．GraduateSchoolofChineseAcademyofSciences，Beijing100039，China)
(Received5November2004)
Abstract：一LiA102singlecrystalswereanticipatedtoactasapromisingsubstratematerialfortheepitaxy
ofGaNbecauseofthelittlelatticemisfit(about1．4％)betweeneachother．Inthepresentwork，large—
size7一LiA102singlecrystalwithdimensionof645×50mm hasbeengrownbyCzochralskitechnique．
Variousrepresentative positions ofthe crystalboulewere examined using X—ray powderdiffraction
(XRPD)analysis．Onlyinthebottomofthecrystalboulethereproducedakindoflithium—poorphase
(LiA15O8)．The 一LiA102crystalexhibitsapoorchemicalstbailitybecauseithydrolyzesslightlyatroom
temperature．Whenthe 一LiA102crystalwasannealedfor70hat1IO0~C inair—atmosphere，itvolatilizes
、
alithiumcomponent，andproducesalithium—poorphase(LiA15O8)layeronthesurface．Itisnotewo~hy
thatnohydroxylbasorptionbandpresentsintheinfraredspectraregionof 一LiA102crystals．
Keywords：crystalgrowth；Czoehralskitechnique； 一LiA102；epitaxy；GaN；substrate；infrared
CLCnumber：0782 DocumentCode：A ArticIem ：1000-985X(2005)02Jo278Jo5
提拉法生长大尺寸 -LiAIO2单晶的研究
彭观 良一，邹
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