阴极电弧制备TiAlN 薄膜工艺参数的正交分析研究.pdfVIP

第 24 卷 第 2 期 中 国 表 面 工 程 Vol.24 No.2 2011 年 4 月 CHINA SURFACE ENGINEERING April 2011 第 6 期 乔玉林等：ASPS 技术制备微纳结构 FeS 固体润滑渗硫层的研究 21 doi: 10.3969/j.issn.1007−9289.2011.02.007 阴极电弧制备TiAlN 薄膜工艺参数的正交分析研究* 陈锋光，孙丽丽，成 浩，柯培玲，汪爱英 （中国科学院宁波材料技术与工程研究所 表面工程事业部，浙江宁波 315201 ） 4 摘 要：为深入理解不同工艺参数对阴极电弧制备 TiAlN 薄膜性质的影响重要性，文中设计了 L9(3 )正交试验表，研 究了基体负偏压、N2 流量、阴极弧流对 TiAlN 沉积速率、表面粗糙度的影响，给出了工艺参数优化组合。结果表明： 负偏压对 TiAlN 薄膜的沉积速率影响最大，其次是 N2 流量、弧流；对表面粗糙度的影响次序则为 N2 流量、弧流、负 偏压。薄膜沉积速率随 N2 流量的升高而增大，随负偏压增加先增加后降低，随弧流的增大变化不明显。薄膜表面粗糙 度随 N2 流量的升高逐渐减小，随负偏压的增加而增加，随弧流的增大而增大。 关键词：正交分析；TiAlN ；阴极电弧离子镀；沉积速率；表面粗糙度 中图分类号：TG174.444 文献标识码：A 文章编号：1007–9289(2011)02–0041–05 Orthogonal Analysis on Deposition Parameters of TiAlN Thin Films by Cathodic Vacuum Arc Technique CHEN Feng–guang, SUN Li–li,Cheng Hao,KE Pei–ling,WANG Ai–ying (Surface Engineering Division, Ningbo Institute of Material Technology Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo Zhejiang 315201) Abstract: Orthogonal analysis method was used to notify the effect of deposition parameters including N flow rate, substrate 2 negative bias voltage and arc current on the deposition rate and surface roughness of TiAlN thin films, which were deposited by a cathodic vacuum arc technique. The results indicates that the bias voltage plays the key role on the deposition rate of films, which is followed by the N flow rate and the arc current finally. However, the N flow rate are considered as the dominated 2