IC封装热阻的定义与量测技术.pdfVIP

10-1 IC 装热阻的定义与量测技术 IC 封装热阻的定义与量测技术 阻值用于评估电子封装的散热效能，是 传设计中一个相当重要的参数，正确了解其 物理意义以及使用方式对于电子产品的设计有很大的帮助，本文中详细介绍了热阻的定义、 发展、以及量测方式，希望使工程设计人员对于 阻的观念以及量测方式有所了解，有助于 电子产品的散 设计。 介绍 近年来由于电子产业的蓬勃发展，电子组件的发展趋势朝向高功能、高复杂性、大量生 产及低成本的方向。组件的发 密度提升，伴随产生的发 问题也越来越严重，而产生的直 接结果就是产品可靠度降低，因而 管理 （thermal management）相关技术的发展也越来越 重要【1】。电子组件 管理技术中最常用也是重要的评量参考是热阻（thermal resistance）， 以IC 封装而言，最重要的参数是由芯片接面到固定位置的热阻，其定义如下： 阻值一般常用 θ或是R 表示，其中Tj 为接面位置的温度，Tx 为热传到某点位置的 温度，P 为输入的发热功率。热阻大表示 不容易传递，因此组件所产生的温度就比较高， 由热阻可以判断及预测组件的发 状况。电子系统产品设计时，为了预测及分析组件的温度， 需要使用热阻值的数据，因而组件设计者则除了需 供良好散 设计产品，更需 供可靠的 阻数据供系统设计之用 【2】。 对于遍布世界各地的设计及制造厂商而言，为了要能成功的结合在一起，必须在关键技 术 设定工业标准。单就 管理技术而言，其中就牵涉了许多不同的软硬件制造厂商，因此 需透过一些国际组织及联盟来订定相关技术标准。 本文中将就热阻的相关标准发展、物理意义及量测方式等相关问题作详细介绍，以使电 子组件及系统设计者了解热阻相关的问题，并能正确的应用热阻值于组件及系统设计。 装热传标准与定义 在 1980 年代，封装的主要技术是利用穿孔 （through hole）方式将组件安装于单面镀 金属的主机板，IC 组件的功率层级只有 1W 左右，在 IC 封装中唯一的散 增进方式是将导 线架材料由低传导性的铁合金Alloy42 改为高传导性的铜合金。 随着技术的提升，从 1990 年代开始，半导体及电子封装技术已经有了很大的进步，为了增 加组装密度，组件的安装方式采用表面黏着(surface mount)技术，虽然机板采用更多电源 层的多层铜箔的机板，然而所产生的热传问题却更为严重。为了增加封装的散热效能，开始 将金属的散 片（heat spreader）插入封装之中。在1990 年代晚期，BGA （Ball GridArray） 的封装型式开始发展，由于面数组的方式可容纳更多的锡球作为I/O，因此封装的体积大量 址（ADD）：无锡新区硕放香楠一路9 号 电话（Tel）：0510 网址（Http）：Http://www.cldkj .com 传真（Fax）：0510 10-2 IC 装热阻的定义与量测技术 缩小，而相对的机板的I/O 线路也越来越小，使封装技术朝向更进一步的演进，产生的热传 问题也较以往更为严重。 早期的电子 传工业标准主要是SEMI 标准【3】，该标准定义了IC 封装在自然对流、风 洞及无限平板的测试环境下的测试标准。自1990 年之后，JEDEC JC51 委员会邀集厂商及专 家开始发展新的 传工业标准，针对 管理方面 出多项的标准【4】，其中包含了已出版的 部分、已 出的部分建议 出的部分， 管理相关标准整理成如图一之表格分布。和 SEMI 标准相比，虽然基本量测方式及原理相同，但内容更为完整，另外也针对一些定义做更清楚 的说明 【5】。 OVERVIEW JESD51 THERMAL THERMAL COMPONENT DEVICE THERMAL MEASUREMENT MEASUREMENT ENVIRONM