碳硅共掺p型氮化铝晶体结构及光学性能研究.pdfVIP

碳硅共掺p型氮化铝晶体结构及光学性能研究 武红磊 郑瑞生 闫征 李萌萌 郑伟 深圳大学光电工程学院 光电子器件与系统 （教育部/广东省）重点实验室，深圳 518060 摘要:在碳化硅衬底上通过碳硅共掺杂的方式利用升华法制备出p型氮化铝晶体。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能 谱(XPS)和光致发光(PL)光谱对样品结构和光学性能进行分析。XRD的测试结果表明晶体的生长方向为c轴方向，晶体质 量较好。霍尔测试的结果表明制备出的氮化铝晶体导电类型为p型。经过XPS测试分析，尤其是对Si2p和Cls的分析，发现 样品中C替代N的位置起受主作用，而Si替代AI的位置起施主作用。通过样品的PL谱观察到波长分别为309nm和396nm的 强发射峰。结合样品的结构以及理论计算结果，得知这两个发射峰分别来自于C和Si杂质形成的复合物VN-CN和CN-SiAl。 关t词：掺杂；p型导电；半导体；氮化铝 O474；O734+.3 A Structuralandopticalpropertiesofp-typeAINcrystalsby CandSicodoping HongleiWuRuishengZhengZhengYanMengrnengLiWeiZheng KeyLaboratoryofOptoelectronicDevicesandSystemsofMinistryofEducation/GuangdongProvince,ShenzhenUniversity,Shenzhen 518060,China Abstract:P-typeAINcrystalsbyCandSicodopingweregrownonSiCsubstratesbythesublimationmethod.Thestructuralandoptical propertiesofp-typeAlNcrystalswereinvestigatedwithXRD,XPSandPLmeasures.XRDresaltsshowthatc-axisorientedAlNcrystals withhighqualityweregrown.Hall-effectmeasurementprovesthattheAINcrystalshavethep-typeconductivity.TheXPSanalysis, especiallyaboutbindingenergiesofSi2pandCIspeaks,revealsthatCreplacesNasanaccepterandSireplacesAIasadonorinthe AIN.WithPLspectroscopy,theemissionlinesat309rimand396nmareobserved.Combinedthestructureandcompositionthep-type AINandrelatedtheoreticalresults,thetwolinesareattributedtothecomplexesofVN-CNandCN-SiAl,respectively. Keywords:doping;p-typeconductivity;semiconductor;AlN 第十七J-●?■化青·■牛●L俸、—t敢●l件和先l■l件拳术●峨 开封’2012 of asafamiliar for andchemicalstate energyMg acceptorGaN，iscrystalcomposition above500meVinAIN．butisabout160meVcharacterization．Toreduceadsorbentssuch笛 inGaN．14，卵111ecorrelative resultsand was 02 C02，the ex