850nmAlInGaAsAlGaAs半导体激光器输出特性分析.pdfVIP

850nm AlInGaAs/AlGaAs 半导体激光器输出特性分析* 陈 敏 郭 霞 董立闽 邓 军 盖红星 沈光地 （北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京光电子技术实验室 北京 100022） 摘 要：设计和制备了波长为 850nm 的 AlInGaAs/AlGaAs 应变三量子阱半导体激光器，对制得 的腔长 75um的条形未镀膜半导体激光器进行了改变温度和工作电流的实验研究，得到了器件输出光 功率、电压、斜率效率、发射波长和阈值电流随温度、工作电流变化的实验曲线。实验结果表明： 随着温度增加，半导体激光器的功率和电压减小，斜率效率下降，发射波长红移，阈值电流增大， 温度高于室温时阈值电流随温度升高增加得更明显，并得到了器件在 252K-343K温度范围内特征温 度；随着工作电流增加，发射波长红移，斜率为 0.022nm/mA，工作电流大时红移现象比电流小时更 明显。根据实验结果对器件结构进行优化，优化后的器件载流子限制及光场限制得到增强，实现了 较低的阈值电流。 关键词：半导体激光器；AlInGaAs；温度；工作电流 1. 引 言 InGaAs/AlGaAs 应变量子阱激光器与传统晶格匹配非应变的 GaAs/AlGaAs、AlGaAs/AlGaAs 量 子阱激光器相比，性能更好、可靠性更高[1]，但是 InGaAs/AlGaAs 激光器发射波长大于 870nm，有 文献[2]报道对于发射波长小于 870nm 的情况可以通过使用应变 AlInGaAs 有源层来改进器件性能和 可靠性。在有源层中，InGaAs 层中的 Ga 被 Al 部分地取代以增加电子跃迁能,而双轴压缩应力降低 了价带的态密度，从而降低了分布反转所需的载流子密度，因此 AlInGaAs/AlGaAs 器件与 GaAs/AlGaAs 器件相比，通常具有更好的光增益特性[3]和更低的阈值电流密度。 由于AlInGaAs/AlGaAs 量子阱的以上优点，本文利用MOCVD 生长外延材料，制作出腔长75um、 条宽 50um 的脊型条形未镀膜半导体激光器，并利用 SV-32 低温恒温器及 LD2002C3 测试系统对 850nmAlInGaAs/AlGaAs 半导体激光器温度特性进行了实验研究，测得在 252K-343K 温度范围内， 器件的输出光功率、电压、斜率效率、激射波长和阈值电流随温度变化的实验曲线，得到了器件在 252K-343K 温度范围内的特征温度；同时测量了激光器输出光束波长随工作电流变化的情况，得到 了半导体激光器波长、阈值电流、输出光功率、电压、斜率效率等输出特性随温度、工作电流的变 化规律，并对实验结果进行分析、解释，进一步优化了器件结构。 2. 实验样品及装置 采用 EMCORE 公司的 Discovery 125 型 MOCVD 设备生长器件的外延结构，其结构示意图如图 1 所示。有源区采用应变的 AlInGaAs/AlGaAs 三量子阱结构。沿生长方向依次为： N-GaAs 衬底； 线性渐变 N-Al0.1~0.5Ga0.9~0.5 层；N-Al0.5Ga0.5As 下包层；未掺杂 Al0.5~0.2Ga0.5~0.8As 的下波 导层；三量子阱应变未掺杂 InAlGaAs/AlGaAs 有源区；未掺杂 Al0.2~0.5Ga0.8~0.5As 上波导层； P-Al0.5Ga0.5As 上包层；线性渐变 P-Al0.5~0.1Ga0.5~0.9As 层； P+-GaAs 欧姆接触层。 实验前，首先将管芯装到 SV-32 低温恒温器, 然后对低温恒温器抽真空，灌液氮。管芯温度由 * 基金项目：国家自然科学基金资助项目（批准号批准号，国家“863”高技术计划资助 项目（批准号：2002AA312070），国家“973”计划资助项目（批准号：02）和北京市自然科学基金资助 项目（批准号：4021001） 与低温恒温器相连的温度控制器来控制完成，控制精度可达 0.1℃。输出光功率、电压、激射波长、 阈值电流、斜率效率由与低温恒温器相连的LD2002C3