一维ZnEESSe纳米结构的气相合成.pdfVIP

第36卷 增刊2 稀有金属材料与工程 均I．36，SuppI．2 AND 2007 2007年 8月 RAREMEtAL^，【肌RIALSENGINEER玎qG Augllst 一维ZI也睁S，Se)纳米结构的气相合成 李焕勇，介万奇，熊鹏，付红志 (西北工业大学材料学院，陕西西安7100721 眦佃ts，sc)纳米线．生长的znse和zns纳米线长度达几十微米，具有接近理想化学计量比的成分和较高的结晶质量． 研究表明．znE纳米线生长过程中．znNi台金充作实际的催化剂，生长遵循氧化还原反应助vLs机理。基于此机理， 通过调控N近纳米粒子的尺寸可以有教控制z晒纳米线的直径。 关键词：Ⅱ．Ⅵ族化合物；纳米线；zns；znsc{vLs生长机制 中图法分类号；f304．2l 文献标识码：A 文章编号：1002-185x(2007)s2．279．04 1 引 言 zns和znse作为重要的宽带隙Ⅱ一Ⅵ族半导体材 料，可以用来制作蓝绿激光器件、非线性光电器件、 所述程序，采用溶剂热方法于高压反应釜中合成。所 可见．紫外光电探测器件和核辐射探测器件等【l“，其 制备的N试纳米颗粒均匀涂于清洗后的si衬底上，并 一维纳米结构制备成为该半导体材料研究新的热点。 在50℃下真空烘干。生长znF纳米线时，将适量zn 迄今为止，已报道了多种zn酣弘s，se，下同)纳米线或粉和表面涂有N堪纳米颗粒的si衬底放入管式水平炉 min，除 纳米棒的合成方法，如表面软模法口】、化学气相沉积 的相应位置，在常温常压下通入高纯氧气10 (cv矾峨分子束外延牛长n热化学分解[8】和水热法 【91等。其中，化学气相沉积方法由于工艺简单，合成 的znE纳米线密度高、结晶性能好，适合于较大规模 地制各材料而成为半导体纳米线制备的首选方法【l…。 应zns)的产物。 目前文献报道的合成znE纳米线方法多采用Ag或Au 等贵金属催化剂…”，除了较高的成本外，获得的znF x’口ertPRO)上分析；形貌采用Hitachis一570电子显 纳米线长度一般不超过30um，且受贵金属高温性能 的局限，生长过程难以控制纳米线的长度与直径。因 察：成分分析在EDs能谱仪上进行：室温光致发光性 此，寻求更适合于控制生长znF纳米线尺寸的方法， 能在HitachiF一4500荧光光度计上进行，激发波长为 对发展Ⅱ一vI族一维纳米材料具有重要意义。其中采用 325nm。 化合物前驱物为催化剂，拓宽催化剂的选择范围是达 3结果与讨论 到上述目标的重要途径。 本研究发展了新的适合化学气相沉积方法生长 3．1产物结构分析 z嘣乒S，se)纳米线的Ni目点叠s，sc)纳米颗粒催化剂，沉积于si衬底上的黄绿色和白色产物的Ⅺ∞图 并成功在Si村底上合成znE纳米线。结果表明采用该 催化剂可以有效控制纳米线的直径，并分析了相应纳 米线的生长机制 明由Nise催化制备的黄绿色产物属于闪锌矿结构 2实验 收稿日期：2007-02—25 基金项目：国家自然科学基金(No503360401及西北工业大学青年科技创新基金资助项目 E．眦Ⅱ：libua删佃g@nwpu．cdlL∞ 万方数据 ．280． 稀有台属村料与工程 第36卷 znse。按图la各衍射峰计算所制znse样品的晶胞常 nm，此值接近于立方相znse的文献值 数为O．5648 (JcPDs卡片No．37．146