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第28卷,第2期 光谱学与光谱分析 C01.28,No.2,pp256—259
and
2 00 SpectralAnalysis February,2008
8年2月 Spectroscopy
一维电介质一金属光子晶体的光学特性研究
罗亚衡,王永生。,王东栋,邓立儿,孙 建
北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京100044
摘要利用传输矩阵方法,研究了一维电介质一金属光子晶体的光学特性,该光子晶体通过在Si/SiCh组
成的电介质型光子晶体中插入一定厚度AJ层形成。计算结果表明,金属层的引入可以有效提高反射效率,
[-Si(46rim)/Si02(60rim)/AI(10nm)/Si02(60啪)]5结构的单位周期传输衰减从[si(46nm)/SiOz(120
nm)/SiC6(60
姗)]5的7.2dB增大到了20dB;可以得到更宽频率范围的全方向反射带隙,例如[-Si(46
rim)/AI(30nm)/Si02(60衄)]5结构即可提供550nlTl带宽的全方向反射;同时讨论了金属吸收、金属层厚
度及插入位置对其光学特性的影响。这种电介质一金属光子晶体有望作为性能优异的光学反射镜得到应用。
关键词光子晶体;光子禁带;传输矩阵法
中图分类号:0734.+2文献标识码:A 文章编号:1000-0593(2008)02—0256-04
效应的增强应该更为有利,问题在于光子晶体中金属~的
引 言 吸收比要金属Ag更为严重[1¨。在本文中我们将从理论上研
究在电介质光子晶体中插入~层后的光学特性。为了便于
光子晶体,又称为光子禁带材料[1’2],是一种折射率按 比较,计算中所用的电介质光子晶体结构与文献Do]基本相
一定空间周期性变化的新型光学材料。由于多重Bragg散射同,所选择的材料同样为Si和Si02。所有材料的折射率和消
的作用,光在这类材料中传播时具有类似电子在半导体材料 光系数都来源于文献[121,计算所用的方法为传输矩阵法。
中的某些特性,一些频率范围的光不能在其内部传播,即出
现了光子禁带。由于其新异的物理特性和重要的应用前 1传输矩阵方法
景[¨],光子晶体的相关研究近年来引起了广泛的关注[6’7].
为了避免材料自身的吸收,目前研究的光子晶体一般由
两种或者两种以上的电介质材料构成,在所关心的频率范围 一维光子晶体(A,B为组成光子晶体的两种材料,a,b为其
内这些材料均可近似视为折射率为常数的无损耗介质。这类 各自的厚度,N是周期数),光在第h层介质中的传输特性
光子晶体的光子禁带通常宽度有限,约为带隙中心频率的 可以用一个2×2的矩阵表示为
25%,单位周期的传输衰减也仅有3~4dB[8|。近来的研究 F cos一i万1sin1
工作表明,在光子晶体中引入金属材料有望得到更好的光学 L一吻sin二蛾 J
特性。WardC9]等利用周期性Al-电介质多层薄膜结构在一个
较窄的频率范围内将反射率从体金属的95%提高到98%;率和几何厚度,幺为入射角.准是介质的有效导纳,对于P
Ye
Vong-hong[81和周鹏[10]等通过在电介质型光子晶体中插
偏振光,孕=m/con;对于S偏振光,孕一mc0飒。
入金属Ag层得到了比原来更宽的全方向反射带隙。 以P偏振光为例,如果材料A和B的折射率分别为疗t
与金属Ag相比,金属~的介电系数更大,如果在光子
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