AlGaN电子阻挡层对LED结温和发光效率的影响.pdfVIP

中国工程热物理学会 传热传质学 学术会议论文 编号：123035 AlGaN 电子阻挡层对LED 结温和发光效 率的影响 1 1* 2 王天虎 ，徐进良 ，王晓东 1. 102206 （华北电力大学能源的安全与清洁利用北京市重点实验室，北京 2.华北电力大学低品位能源多相流与传热北京市重点实验室，北京 102206） Tel: 01061772268; E-mail: xjl@ ： LED 摘要 对有无电子阻挡层两种 芯片进行了模拟研究，引入焦耳热和非辐射复合热两种内热源， 对芯片的内量子效率，发光功率，发热特性及结温进行了系统分析。结果表明，引入AlGaN 电子阻挡 层后，效率下垂效应得到明显改善，发光功率显著提高。原因是p 型区和活性区间有效势垒的提高， 削弱了漏电流效应，使量子阱中载流子浓度及辐射复合率增强。同时，由于活性区中非辐射复合热也 相应增加，使相同电流下有电子阻挡层的LED 芯片产热量增加，导致芯片结温在240 mA 电流时提高 了20K 。 关键词： LED ；量子阱；温度场；内量子效率 引言 多量子阱发光二极管（LED ）作为新一代发光器件，具有节能、环保、长寿命、多 色彩、体积小等众多优点。因此在通信、信息、显示和照明等领域均显出巨大商业应用 前景[1-3] 。尽管大功率高亮度LED 已开始商业生产，但发光效率随注入电流增加显著下 降，即效率下垂效应（efficiency droop ）[3] ，其物理机制仍存在争议。目前很多研究者 关注于漏电流效应机制[3-5] ，在InGaN/GaN LED 中，空穴具有较大有效质量因而迁移率 很小，不利于空穴从p 型区向量子阱中输运，相反，电子有效质量很小而迁移率很高， 输运能力很强，很容易越过势垒从活性区逃逸到p 型区成为漏电流。由于AlGaN 具有 比InGaN/GaN 较高的带隙，为克服上述不足，AlGaN 电子阻挡层（EBL ）被用来抑制 [6,7] 电子漏电流 。然而是否采用EBL 仍存在争议，而且这些研究基本都忽略了内热源的 影响[3,6-8] 。 LED 工作时，载流子在其内部的输运及复合决定了焦耳热和复合热的分布规律。但 由于GaN 基半导体材料存在较强的自发极化和压电极化现象，在EBL 和量子阱异质结 界面处会出现极化电荷[4] ，导致的极化电场将影响载流子在活性区与p 型区间的输运， 从而影响量子阱中的载流子浓度，进而决定了LED 内部非辐射复合热及焦耳热，决定 芯片温度场。温度场又会影响活性区的带隙等物性参数，因此LED 的光电特性与p 型 区附近的能带结构及随之改变的内热源紧密相关。可见，EBL 在LED 的光电特性中起 重要作用。目前AlGaN EBL 对LED 内热源及结温的影响少有研究，本文将内热源考虑 在内，对有无EBL 的两种LED 芯片进行了系统研究，从热效应角度揭示EBL 影响LED 结温和光效的内在机理。 - No. U1034004 No. 基金项目：国家自然科学基金广东省联合基金重点项目（ ），国家杰出青年科学基金（ ），中央高校基本科研业务费专项资金（No.12QX14 ； No. 11ZG01 ） 芯片结构与数学模型 本文设计了两种LED 芯片，图1 为芯片结构示意图。芯片A 中，厚100 μm 的蓝 宝石衬底上生长3 μm 的n-GaN 层（掺杂浓度 5×1018 cm-3 ），然后生长5 个周期的 In0.1