导模法生长αAl2O3C晶体.pdfVIP

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2017-09-11 发布于江西
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第24卷第2期无机材料学报 V01．24，No．2 of Journal Materials 2009年3月 Inorganic Mar．，2009 文章编号：1000—324X(2009)02-0255-04 导模法生长ct-A12 03：C晶体杨新波1…，李红军1，毕群玉2”，程艳2…，苏良碧1，唐强4，徐军1 (1．中国科学院上海硅酸盐研究所，上海201800；2．中国科学院上海光学精密机械研究所，上海201800； 3．中国科学院研究生院，北京100049；4．中山大学物理学系，广州510275) 摘要：以高纯AI：O，为原料，利用石墨发热体和石墨保温桶为碳源，采用导模法生长了d—A1：O，：C晶体，研究了氢气退峰，热致发光发射波长位于415nm．仅-AI：O，：C晶体的光致受激发光曲线呈指数衰减，衰减曲线由快衰减和慢衰减两部分组成．仅一A1：O，：C晶体的热致发光和光致受激发光剂量响应曲线具有线性一亚线性一饱和的特点，其中热致发光剂量内呈现良好的线性关系，饱和剂量为30Gy．关键词：仅一Ai203：C；热致发光；光致受激发光；导模法中图分类号：TGl74；0614 文献标识码：A Growthof Growth Technique or-A1203：CCrystalbyEdge-Defined，Film·Fed YANG Xin．B01…，LIHong—Junl，BIQun．Yu2”，CHENGYan2”， SU Junl Liang—Bil，TANGQian94，XU Institute Institute and (1．ShanghaiofCeramics，ChineseAcademyofSciences，Shanghai201800，China；2．ShanghaiofOptics Fine of Graduate oftheChinese of Mechanics，ChineseAcademySciences，Shanghai201800，China；3University Academy of 5 Sciences，Beijing100039，China；4．DepartmentPhysics。ZhongshanUniversity，Guangzhou10275，China) was Growth which grown Abstract：仪-A1203：Ccrystal byEdge—Defined，Film·FedTechnique(EFG)in unitandshieldactedasthe and wasusedastherawmateri— graphiteheating carbonsourcehighpurityA1203 stimulated