半导体纳米氧化物气敏传感器的制备及应用.pdfVIP

第 23 卷第 3 期增刊　　　　　　　　　　　　 仪　器　仪　表　学　报　　　　　　　　　　　　2002 年 6 月 半导体纳米氧化物气敏传感器的制备及应用 赵全明　李玲玲　王广健　张剑军 (河北工业大学　天津　300130) 摘要　论述了金属氧化物 SnO 2 的气敏机理, 并对通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物以及形成复合型、多组分氧化物等方 法制备 SnO 2 薄膜气敏传感器的最新研究成果进行了简要介绍。 关键词　传感器　气敏材料　SnO 2 薄膜　制备　应用 Prepara tion and Applica tion of Nano Sem iconductor Ox ide Ga s Sen sors 　 　 　 Zhao Q uanm ing L i L ingling W ang Guangjian Zhang J ian jun (H ebei U niversity of T echnology , T ianj in　300130, Ch ina) 　 Abstract T he gas sensitive p rincip le of tin dioxide w as stated and the p resent study situation w as introduced , , , briefly on p reparation of tin dioxide m em branous gas senso r by m eans of dop ing m etal m etal ions m etal oxides . the compo site of m etal oxides 　 　 　 　 　 Key words Senso r Gas sensing m aterials SnO 2m em brane P reparation A pp lication 场作用下的漂移运动, 引起材料电导率降低; 而在还原 1　引　　言 性气氛中, SnO 2 将吸附被测气体并与吸附氧交换位置 或发生反应, 致使晶界处的吸附氧脱附, 表面势垒降 自从氧化亚铜的电导率随水蒸汽的吸附而改变这 低, 从而引起敏感材料的电导率增加。敏感材料电导率 一特性于 1931 年被发现后, 人们开始对某些材料的气 的这种变化特性可用于多种气体的检测。 敏特性进行广泛而深入的研究。近年来, 结合纳米技术 研制成功的金属氧化物薄膜气敏传感器, 以其较高的 3　纳米金属氧化物气敏传感器研究现状 灵敏度和选择性、良好的响应和恢复时间以及较长的 ( 使用寿命而被广泛应用于各种有毒有害气体、可燃气