Al24Si合金中五星柱状初生Si的生长机制.pdfVIP

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2017-09-11 发布于江西
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Al24Si合金中五星柱状初生Si的生长机制.pdf

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第20卷第10期中国有色金属学报 2010年10月、，01．20NO．10 TheC址n∞eJournalofNon_ferrousMetals Oct．2010 文章编号：1004．0609(2010)10—2003—06 A1．24％Si合金中五星柱状初生Si的生长机制胡慧芳，李华基 (重庆大学材料科学与工程学院，重庆400030) 摘要：研究AI-24％Si合金铸态组织中五星柱状初生Si的立体形貌及生长机制。结果表明：混合酸腐蚀后，五星柱状初生Si内部出现平行于表层晶面、层层堆叠的生长迹线，与螺旋式生长线存在明显差别，表明si晶生长所依靠的台阶源并不是螺旋位错形成的；层错堆垛在五角多面体Si晶核生长面{111}上产生高度分别为6(1lX)／3 和2J(111)／3的亚台阶，两类亚台阶交替产生的过程为si晶的生长提供永不消失的台阶源；萃取得到的五星柱状初生Si的完整形貌显示其生长终端界面形态与五角多面体晶核一致，呈五角多面凹坑状；八面体团簇五重凝并形成的五角多面体晶核，以层错在各{111}生长面产生的两类亚台阶为生长台阶源，层层堆砌长大形成五星柱状初生Si。关键词：五星柱状初生Si；层状生长迹线；亚台阶生长理论中图分类号：TGl46．2；TG111．4 文献标志码：A Growthmechanismof five-pyramidprismatic—shaped Siin A1．24％Si primaryhypereutecticallov 一，一一 - HU Hui-fang，LIHua-ji ofMaterialsScienceand (College Engineering，ChongqingUniversity,Chongqing40030，China) AbsWact：The and mechanismof Siin stereo-morphologygrowth five-pyramid primaryhypereutectic prismatic—shaped AI-24％Siwere resultsshowthatthe tracesofthe alloy investigated．The primary growth five-pyramidprismatic-shaped Siexists withthe theSGTeW by surface is differentfromthe of layerlayer,paralleling crysmlplane．Itquite growth蛔ce dislocation sources forSi are and growth．negrowthstep requiredphase byJ(111)／32万(111)／3sub—steps，