竖直碳纳米管阵列界面的接触热阻模型.pdfVIP

工程热物理学会 传热传质学 学术会议论文 编号：123126 竖直碳纳米管阵列界面的接触热阻模型 张进史波宣益民 (南京航空航天大学，能源与动力学院，南京，210016) （Tel：0252614 Email:boshi@nuaa.edu.cn） 摘 要：竖直碳纳米管阵列在热界面材料领域有着巨大的应用潜力。本文针对碳纳米管阵列作为热界 面材料而提出了一个计算其接触热阻的模型，该模型考虑了粗糙度、碳纳米管力学性能、纳米级点接 触界面热阻以及微米级收缩热阻等因素。研究发现当压力达到一定值时主要热阻为纳米级点接触界面 热阻。 关键词： 碳纳米管阵列；接触热阻；热界面材料 0引言 公司早在 年就宣布 个人电脑的芯片散热问题已经制约了其功率的进一步 Intel 2000 , 提高[1]。传统元件热流密度小，依靠加装散热片或风扇已可以满足散热的要求，接触热 阻(thermal contact resistance)通常被忽略。但随着功率的增大，热流密度变大，接触热 阻将严重影响散热性能。 减少接触热阻最有效的方法是引入热界面材料（TIM ）。陈宏源等[2]认为竖直碳纳米 （ ）具有高导热、热导率各向异性、径向面内低热膨胀系数、轻质、抗老 管阵列 VACNTs 化、抗氧化等突出优点，是目前能够适应不断提高的芯片功率的最佳热界面材料。将碳 纳米管掺杂到 中可以有效改善 的性能， 等 发现加入碳纳米管虽然可以 TIM TIM Zhong [3] 加强 的导热率，但同时会加大粘度，减弱与表面的适应性。另外直接加入 ， TIM CNT CNT 之间存在巨大的界面热阻，无法充分利用 CNT 轴向高热导率，针对此人们想到利用垂直 生长的碳纳米管阵列（VACNTs ）。虽然目前竖直碳纳米管阵列用于电子器件的散热还存 在着性能、材料设计、价格、生理学毒性、封装工艺等一系列问题，但无可否认的是， 其在热界面材料领域的巨大潜力。 目前已有较多的学者研究了TIM 的性能，Sample 等[4]在研究中发现多壁碳纳米管 阵列的热阻不随反复加载而改变。 等 在其论文中测试了阵列碳纳米管上沉积一 Panzer [5] 层铜后的热阻，指出热阻主要由纳米管和铜之间界面热阻决定，并研究了纳米管与铜表 面不完全接触。Khanh 等[6]测试了竖直碳纳米管与目标直接接触以及使用聚合物和目标 黏合两种情况下的热阻，发现使用聚合物黏合可以减小热阻。Fan[7]研究了不同缺陷对 碳纳米管热导率的影响。Chai 等[8]研究了用铜填充竖直碳纳米管阵列中的空隙，实验表 明这种结构可以改善碳纳米管阵列作为TIM 的性能，研究者认为原因是因为碳纳米管阵 列中的空隙部分无法连接两个表面，而填充的铜则在这部分建立了热通道。Zhang 等[9] 比较了竖直碳纳米管阵列和其他几种 TIM 材料，发现碳纳米管阵列接触热阻明显小于其 他几种。Hu 等[10]测试了碳纳米管阵列作为 TIM ，界面热阻较大，作者认为主要原因是 由于一些碳纳米管没有与表面接触，作者列出了两个解决方法：（）综合使用碳纳米管 1 阵列和传统材料（如树脂、相变材料）。（）在两接触表面都沉积碳纳米管形成碳纳米 2 管相串，形成更多热流通道。 虽然已有较多学者研究碳纳米管阵列应用到 TIM ，但仍以实验