立方氮化硼的制备与表征.docVIP

立方氮化硼的制备 指导老师：乐永康 实验者：赵凯 摘要：用射频溅射法将立方氮化硼（c-BN）薄膜沉积在晶体硅上，薄膜成分由傅立叶变换红外吸收谱标识。在其他条件不变的情况下，研究了衬底温度及氮气含量对制备立方氮化硼的影响。研究结果表明，基底温度是影响立方氮化硼含量的重要参数。C-BN的含量并非单纯线性随衬底温度变化，在不同的N2含量下，立方氮化硼生长有不同的最适生长的衬底温度，并且在最适生长衬底温度附近生长的c-BN应力较低。 关键词：立方氮化硼，射频溅射，衬底温度 引言： 立方氮化硼薄膜在薄膜应用领域具有重要的技术潜力, 其综合性能甚至超过金刚石。这主要决定于其独特的优点[1～2 ] : (1) c - BN 材料具有宽的光学带隙6. 5 eV 和优良的热导率,并且可掺杂为N 型、P 型半导体, 可作为宽带隙半导体材料用于高温、大功率、抗辐射的电子器件制造方面。金刚石只能掺杂为P 型半导体。(2) 高温下强的抗氧化性能(1 300 ℃以下不易氧化) ,不易与铁族金属及其合金材料发生反应。(3) CVD 方法制备金刚石薄膜通常在高温条件下进行,c - BN 薄膜可在较低的温度下(300～800 ℃) 沉积。(4) 从红外到紫外范围内具有很好的透光性,加上本身高硬度的特点,是光学元件良好的保护涂层。(5) 很高的硬度,显微维氏硬度约为5 000 kgmm- 2 ,仅次于金刚石。因而是超硬保护涂层的较佳选择材料。 氮化硼有类似于金刚石的结构的sp3键构成的相, 又有类似石墨结构的sp2 键构成的相。如图1,闪锌矿的C-BN和六角密堆层状结构的h-BN处于热力学平衡状态，斜方六面体的r-BN和纤锌矿结构的w-BN处于亚稳态。[3] 实验： C－BN薄膜用27.12MHz射频溅射的方法沉积在单晶硅(111)衬底上，衬底经过在酒精中超声清洗30分钟（2次），靶材为纯度99.5％的h-BN靶，溅射气体为氮气与氩气混合而成。正式沉积之前，对靶材清洗，档板阻挡情况下，功率200W，偏压50V，清洗20分钟；对衬底进行预溅射，放下档板，功率50W，偏压200伏，溅射20分钟，以达到清洗和活化表面的目的。制样时，加200W的溅射功率，衬底加150V的偏压，预抽真空约3～5×10-4Pa，溅射气压0.1～0.2Pa，衬底加热温度范围为300～500 ℃，N2含量分别为(1)7.4％（2）10%，溅射时间30分钟。薄膜成分用红外谱标识。 结果和讨论： （1）图2给出了N2含量为7.4％时，衬底温度从350～500℃时沉积的c-BN薄膜的红外吸收谱。图中，1065cm-1附近的吸收峰为sp3键合的c-BN 横光学对称振动模式，780cm-1和1380-1附近的吸收峰分别为sp2键的h-BN 的横光学弯曲振动模式和伸缩振动模式[4]。Friedmann[5]等人研究表明:衬底上h-BN和c-BN有相近的红外灵敏因子，所以c-BN的含量可以表示为P=I1065/(I1065+I1380)……(1)； 其中I1065和I1380分别为红外吸收谱中1065cm-1和1380cm-1出吸收峰的强度。根据上式计算不同衬底温度下h-BN和c-BN的相对含量，结果如表1。 表1 不同衬底温度下薄膜中c-BN和h-BN的相对含量 衬底温度/℃ 350 400 450 500 c-BN/% 0 64.6 62.9 70.6 h-BN/% 100 35.4 37.1 29.4 Ulrich等［6］的实验中，假设从基底上剥离的薄膜为无应力状态，其c-BN红外吸为1053cm-1，且测到了内应力为25GPa 时c-BN红外吸收为1099cm-1，并以此为根据得出波数对应力漂移率为（1099-1053）cm-1/25GPa=1.8cm-1/GPa,由此计算不同衬底温度下薄膜内应力，结果如表2 表2 不同衬底温度下薄膜内应力 衬底温度/℃ 350 400 450 500 c-BN峰位/cm-1 - 1065 1074 1057 内应力/GPa - 6.7 11.7 2.2 （2）图3给