纳米级工艺对微处理器设计的挑战与机遇.pdfVIP

※ 纳米级工艺对微处理器设计的挑战与机遇 胡伟武、李国杰 摘要：随着集成电路制造技术进入纳米级，国际上高性能通用 CPU 的发展正面临技术转型期。性能功耗比继性 能价格比之后正在成为计算机的主要设计指标，主频至上的计算机处理器设计技术正在终结，互连网的普及正 在改变计算机的应用模式，EDA 工具不断完善和成熟以及集成电路代工厂正在蓬勃兴起。上述技术转型为我国 在未来几年发挥后发优势，另辟蹊径，通过跨越创新实现突破提供了机遇。我们应该紧紧抓住上述机遇，加大 研发和产业化力度，实现跨越发展。 关键词：微处理器；摩尔定律；系统结构；技术转型；跨越创新 1 引言 在计算机发明以来的几十年中，半导体工艺技术和计算机系统设计技术互为动力、互相促 进推动着计算机工业乃至信息产业的蓬勃发展。一方面，半导体工艺水平的提高为计算机系统 的设计者提供了更多更快的晶体管来实现具有更多功能、更高性能的系统；另一方面，计算机 系统技术的发展为工艺进步提供了强大的动力，世界上最先进的半导体工艺都用于生产计算机 用的处理器芯片，这些工艺为处理器生产厂家所拥有。 应用需求也是计算机系统发展的动力源泉，但在工艺、系统和应用三者的关系中，应用需 求对工艺和系统的拉动作用远小于工艺和系统的发展对应用的推动作用。在主流的 PC 市场， 总是英特尔和微软从获取利润的角度引导计算机应用的发展；互联网也是先由科学家设想和开 发，后来才逐步向大众普及；计算机系统设计人员经常问的问题是“如何充分利用工艺发展带 来的数以亿计的晶体管”，而不是“满足特定应用的需求需要多少晶体管”。正是由于工艺技术 的快速发展导致了计算机工业乃至整个信息产业在工艺、系统和应用之间出现上述“本末倒置” 的现象。 20 世纪 60 年代，英特尔公司的创始人摩尔（Gordon Moore ）预测集成电路中单位面积集 成的晶体管数目大约每 18 个月翻一番。此后的三十多年，半导体工艺技术基本上按照摩尔定律 的预测发展。目前的微处理器已经在片内集成十几亿个晶体管。根据世界半导体行业共同制订 的 2005 年国际半导体技术发展路线图，未来 15 年集成电路仍将按摩尔定律持续高速发展。半 导体技术现在已经允许将许多种不同类型的晶体管（如 P 型和 N 型沟道 MOS 晶体管，PNP 和 NPN 双极性晶体管，浮动栅器件，熔丝和反熔丝）集成到同一个衬底上, 并允许将处理器和动 态存储器集成到一块芯片上。半导体技术的这些进步，为处理器的设计者提供了更多的资源来 实现更高性能的芯片，从而有可能在单个芯片上创造更复杂和更灵活的系统。 然而，随着工艺特征尺寸（feature size ）缩小到纳米级，工艺技术对结构的影响通过几十年 的积累产生了质的变化，主要体现在以下几个方面： (1). 片内晶体管数目的增加大大增加了芯片复杂度（目前复杂的微处理器内部已经集成了 几十亿个晶体管），晶体管特征尺寸的缩小则增加了物理设计的难度（纳米级的物理设 计需要考虑串扰、片内参数漂移、可生产性、电源完整性等一系列问题），这些都大幅 度增加了设计成本及设计周期； 层的厚度，隧道穿越引起的漏电电流急剧增加。 通过采用新技术和新工艺来克服这些困难可以继续延续摩尔定律。在 90/65 纳米制造工艺 中，采用了多项新技术和新工艺，包括应变硅1 （Strained Silion）、绝缘硅（或称绝缘层上覆硅， SOI- Silicon on Insulator）、铜互连技术、低k 介电材料等。最近 45 纳米工艺所采用的高 k 介质 和金属栅材料的技术是晶体管工艺技术的又一个重要突破。采用高 k 介质（SiO2 的 k 为 3.9， 高 k 材料为 20 以上）如氧氮化铪硅（HfSiON ），理论上相当于提升栅极的有效厚度，使漏电电 流下降到 10%以下，另外高k 介质材料和现有的硅栅电极并不相容，必须采用新的金属栅电极 材料来增加驱动电流。这种技术打开了通往特征尺寸为 32 纳米及 22 纳米的工艺的通路，扫清 了工艺技术中的一大障碍。摩尔称此举是CMOS 工艺技术中的又一里程碑，将摩尔定律又延长 了另一个 10 年至 15 年。 2