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一种新的半导体材料和器件结构： *
COS
， ，
阎志军1 2 王 迅2 =
（ 兰州大学物理系 兰州 ）
1 730000
（ 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海 ）
2 200433
摘 要 国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到 以下， 作为 器件栅介质
0 . 1 m SiO MOS
µ 2
遇到不可克服的困难 人们在寻找新的栅介质材料时，提出了一种新的结构，称为半导体上的晶态氧化物（ ）最
. COS .
近， 被用作 衬底上生长 的过渡层，成为半导体材料和器件发展中一项新的突破 文章对这一结构的进
COS Si GaAs .
展情况做一简要介绍.
关键词 晶态氧化物， 晶体管，硅基集成，新材料
MOS
CRYSTALLINE OXIDES ON SEMICONDUCTOR A NOVEL SEMICONDUCTOR
MATERIAL AND DEVICE STRUCTURE
， ，
YAN Zhi-Jun1 2 WANG Xun2 =
（ ， ， ， ）
1 Department of Physics Lanzhou University Lanzhou 730000 China
（ ， ， ， ）
2 Surf ace Physics Laboratory Fudan University Shanghai 200433 China
（ ）
Abstract The International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS predicts the more aggressive scaling
rule that the feature size of Si chips
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