HT-7U第一壁材料在HT-7装置中的辐照实验研究-HT7U第一.pdfVIP

维普资讯 第 22卷 第 2期 核 聚 变 与 等 离 子 体 物 理 v0I．22 ．No2 2002年 6月 Nuclear Fusion and Plasma Physics Jtme 2002 文章蝙号 ：0254—6os6(2oo2)o2—0105—06 HT．7U第一壁材料在 HT．7装置 中 的辐照实验研究 陈俊凌，李建刚，辜学茂，张晓东，梁荣庆，王小明 (中国科学 院等离子体物理研究所，台肥 230031) 摘 要：把为HT_7u装置开发的系列碳基面对等离子体材料及其 比对样品安装在样 品架上，通过磁力传进机 构进^ }Ⅱ．7装置刮 层中进行辐照实验研究。经过若干趺等离子体放 电实验后 ，取 出样品进行表面形貌 、表面元 素成分及深度分布的X射线光电子能谱分析。结果发现．碳石墨材料的掺杂改性和抗等离子体溅射腐蚀的 c／ SiC梯度功能涂层可以有效地提高其抗等离子体轰击的能力。 关键词 ：第一壁材料 ；刮削层 ；辐照 中圈分类号 ：TL628 文赫标识码 ：A 1 引言 2 FIT．7超导托卡马克辐照实验 在磁约柬聚变装置 中，为减小杂质引起的等离 2．1 实验系统 子体能量的辐射损失 ，需要采用低 z(原子序数)材 FIT一7是个 中等尺寸带限制器位形的铁芯超导 料作为面对等离子体的材料(PFM)。碳基材料以其 托卡马克装置 ，其主要参数为：大半径 尺= 1．22m， 高熔点和在高温下优 良的热物理和力学性能而被广 小半径 “：0．285m，等离子体 电流 ， = 100～ 泛应用…。但纯碳基材料存在化学溅射 、辐射增强 250kA，线平均密度 n．： (1 6)×10一m ，电子温 升华损矢大的缺点，使得纯碳基材料作为PFM的使 度 ：600—1200eV，离子温度 =300—800eV， 用受到很大的限制 。而 B、Si、 等陶瓷组元掺杂 B = l 22T，不锈钢 内衬的半径为0．32m，有两 ≯他的新型碳，陶复合材料 以及 一些抗等离子体溅 个极向固定 Mo限制器和一个活动 Mo限制器。我 射腐蚀的梯度功能涂层可以有效地提高碳基材料的 们将需要辐照的样 品安装在样品架上 ，样品架如图 抗溅射性能 。聚变装置中 PFM的损伤主要是 由 1和图2所示。再将样品架安装在送样机构上。送 离子、电子、光子和中子的综合作用引起的 。托卡 样系统由磁力传动机构及真空联锁机构组成。这样 马克装置中的等离子体辐照实验可为发展新型 PFM 我们可 以在不破坏主放电室真空的条件下将样品送 提供很好的综合评价手段 ，我们将几种很有希望 的 入装置内进行辐照实验 ，或将样品退出真空室。 样品送入 HT-7装置 中进行辐照实验 ，以期了解碳基 真空磁力传送系统如图3所示，由一个磁力传 PFM及其 C／SiC厚膜梯度潦层样品的耐辐照性 送架及一个超高真空机组组成 。磁力传送架的中心 能，为碳基 PFM及其 C／SiC厚膜梯度涂层样品提 有一个可在外部通过环形永久磁铁驱动的驱动杆， 供综合评价和为 }rr．7u装置选择合理 的PFM提供 杆的一端与样品架相连 ，通过操 纵环形磁铁就可 以 可靠的实验依据。 实现样品的轴 向移动。样品