碳纳米管文献综述.docVIP

一、前言 自碳纳米管发现以来，一维纳米材料以其尺寸相关的特殊性能受到越来越多的关注。考虑到如今的集成电路已离不开硅和硅集成工业，因此基于硅材料的纳米电子技术和纳米材料的研究逐渐成为研究的热点，在未来的光电器件设计中具有重要的应用价值。硅纳米线是一种具有优异的物理、化学及力学性能的半导体材料，其独特的光致发光性能使硅纳米线在低维纳米材料发展的基础上实现硅基纳米结构的光集成电路。因此，一维硅纳米材料的研究，尤其硅纳米线的制备与应用研究已经成为纳米材料科学技术较为活跃的一个领域。 硅纳米线除具有半导体所具有的特殊性质，还具有独特的光学、电学和化学性质，在纳电子器件、光电子器件以及新能源等方面显示良好的应用前景[1,2], 目前，硅纳米线的制备方法、结构性能等研究受到了广泛的关注。在制备方法上，报道了激光烧蚀法[3~5]、化学气相沉积法[6~9]、热气相沉积法[10,11]、有机溶液生长法[12,13]、模板法[14]和水热法[15,16]等不同的物理化学方法。 二、正文 1.下面介绍几种常用的制备硅纳米线的方法 1.1激光烧蚀法 激光烧蚀法(Pulsed laser deposition, PLD)是用含有少量Fe, Co, Ni等金属催化剂的硅源作为靶，以氩气作为保护气体，在一定温度下进行激光烧蚀，产生硅粒子沉积到基片上形成硅纳米线。该生长过程为典型的气体-液体-固体生长过程, 即VLS生长机理。 图1 纳米团簇催化剂制备纳米线方案 激光作为一种高能束, 烧蚀靶面很容易产生极高温度使靶材发生气化, 并且很方便地导入到高温、高压及真空等特殊环境中与物质相互作用, 不易带入其他杂质, 用来制备材料时, 相对于化学反应有明显优势，而且它的一个重要优势就是能提高产率。 1.2化学气相沉积法 化学气相沉积法(Chemical vapor deposition, CVD)是利用气态物质通过化学反应在基片表面形成固态薄膜的一种成膜方法。CVD法制备硅纳米线一般是在金属催化剂作用下，采用含硅元素的气体作为气源，在较低温度下气体分解生长出硅纳米线。其材料形成的基本过程包括气体扩散、反应气体在衬底表面的吸附、表面反应、成核和生长以及气体解吸、扩散挥发等步骤。 CVD方法的优点是制备温度较低，例如使用金作催化剂时制备温度在500℃左右；反应时间较短，一般为10～30 min，缺点是产量较低。该法可控制备SiNWs 的核心是金属纳米粒子催化剂，熔融金属粒子催化剂的直径、分布密度和沉积位置等分别决定了SiNWs的直径、分布情况和生长位置。 1.3热蒸发法 热蒸发法是在低压惰性气体氩气或氦气气氛中(50Pa-1kPa) 加热蒸发源，使制备的金属、合金或化合物气化、升华产生原子雾，与惰性气体原子碰撞失去能量后凝聚形成纳米尺寸材料。由于硅在1200℃的高温下具有很高的蒸气压，因此，可以在高温下蒸发固态硅源及催化剂( Fe、Ni或Co)形成低共溶液滴后, 应用VLS生长机制生长硅纳米线。热蒸发法几乎与激光烧蚀法同时被应用于硅纳米线的制备。与激光烧蚀法相同，衬底的温度是热蒸发法可控制备硅纳米线的一个最为重要的参数，它直接影响产物的形貌。因此，调控衬底处于不同温度，即可获得不同形貌的硅纳米结构。 热蒸发法在制备硅纳米线的产量和质量上与激光烧蚀法相当。这种制备方法一般不采用金属作催化剂，避免了金属对硅纳米线的污染，同时产量大，直径一般在20 nm左右且较为均一。该方法所需要的制备温度相对较高，约在1300℃，反应时间较长，需要5～7 h。 1.4模板法 模板合成法是应用物理或化学方法向尺寸和结构适宜的模板(如多孔Al2O3膜、大孔离子交换树脂、高聚物等) 中填充纳米颗粒, 获得所需特定尺寸和功能的纳米结构阵列。这种方法首先要通过调整各种参数，制备所需孔径、分布密度的模板。由于选定组装模板与纳米颗粒之间的识别作用, 使得模板对组装过程具有导向作用。模板法根据需要设计、组装多种高度有序的纳米结构阵列，通过改变模板的孔径可以控制一维结构的直径。目前制备硅纳米线常用的模板主要有多孔氧化铝、沸石等数种。 由于多孔Al2O3膜的孔径比、深度、分布密度等可以方便地通过改变电化学阳极氧化参数调控，因而大多采用多孔Al2O3薄膜作为模板。在Al2O3模板中利用纳米孔道的一维约束效应,可生长出有序的纳米线阵列。 1.5化学腐蚀法 利用化学溶液直接腐蚀单晶硅片制备纳米线。采用金属催化化学腐蚀方法，在单晶硅片表面可以制备出大面积排列整齐、与原始硅片取向一致的硅纳米线阵列，得到的硅纳米线单晶性好、轴向可控且掺杂浓度不受掺杂类型和晶向的影响。该方法能够解决高能量、高真空、复杂的制程、昂贵的设备、缓慢的生长速度、不容易量产等其他制备技术缺点，从而成为了一种有望工业化大规模生产硅纳米线的方法。 1.6