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§14-5 带电粒子在磁场中的运动
§14-5 带电粒子在磁场中的运动
一、洛仑兹力
一、洛仑兹力F
FqvBB
大小:
大小:q
FqvBsin?
v
方向:
方向:?
q 0 时, 的方向;
q 0 时, v B 的方向;?
q 0 时, 的反向。
q 0 时, v B 的反向。FqvB?
洛仑兹力特点:
洛仑兹力特点: Fv 力只改变电荷的速度方向,不改变 力只改变电荷的速度方向,不改变
速度的大小,力对电荷不作功。
速度的大小,力对电荷不作功。
说明:
说明:空间同时存在电场和磁场时,运动空间同时存在电场和磁场时,运动
电荷受力
电荷受力qEvB
FFF
e m二、带电粒子在磁场中的运动
二、带电粒子在磁场中的运动
1. 带电粒子在均匀磁场中的运动
1. 带电粒子在均匀磁场中的运动v 设q以初速进入均匀磁场 设q以初速进入均匀磁场
q
B
v // B作匀速直线运动。
作匀速直线运动。
vvB 在垂直于磁场的平在垂直于磁场的平O面内作匀速圆周运动。
面内作匀速圆周运动。
R
v
FqvBsin qvB
OR
2
B
v
F? qvBm
RmvRqB
2R 2m周期 TT 与 v 无关。
周期 T 与 v 无关。
qB
vv与 B斜交与 斜交?
v
v
v//
B
vvcos----平行于磁场匀速运动
----平行于磁场匀速运动
//
vvsin----垂直于磁场作匀速圆
----垂直于磁场作匀速圆周运动
周运动
运动轨迹为螺旋线。
运动轨迹为螺旋线。
v
vv
//
B
h
mv回旋半径
回旋半径 RqB
2mv
//h ?v T
螺距
螺距
//
qB
R ?mv qB T2 ?m qB2. 带电粒子在非均匀磁场中的运动
2. 带电粒子在非均匀磁场中的运动
在会聚磁场中形成磁镜。
在会聚磁场中形成磁镜。
B
mvR向右B 增大,R变小。
向右B 增大,R变小。
qB
B
F FB
力的水平分量使粒子水平运动减速,
力的水平分量使粒子水平运动减速,
最后反转,形成磁镜。
最后反转,形成磁镜。应用:
应用:
等离子体磁约束装置
等离子体磁约束装置
I
I
I
I地球上空的范艾地球上空的范艾
仑辐射带和极光
仑辐射带和极光 §14-6霍耳效应
§14-6霍耳效应
一、霍耳效应一、霍耳效应 霍耳效应:载流导体薄板放入与 霍耳效应:载流导体薄板放入与
板面垂直的磁场中,板上下端面间产
板面垂直的磁场中,板上下端面间产
生电势差的现象。
生电势差的现象。B
1
d
I
哪一端电势高?
哪一端电势高?
b
V
2二、霍耳效应的微观解释
二、霍耳效应的微观解释B
1
1. 载流子为电子
1. 载流子为电子F
L
下端电势高 ,
下端电势高 , I
v
E
V
H?
n
F
F?evB
e
L
2
F?eE
e H
即 方向向上
FevB 方向向上
即
L
FeE 方向向下
方向向下
e H
?EvB
evBeE
平衡时
平衡时
H
H2. 载流子为正电荷时的霍耳效应
2. 载流子为正电荷时的霍耳效应B
1
哪端电势高?
哪端电势高?
FL
I
v
上端电势高。
上端电势高。
E VHF
e2 半导体的霍耳效应: 半导体的霍耳效应: n 型半导体:载流子以电子为主 n 型半导体:载流子以电子为主 p 型半导体:以带正电的空穴为主 p 型半导体:以带正电的空穴为主霍耳效应的应用:
霍耳效应的应用:测量磁感应强度、压力、转速测量磁感应强度、压力、转速
等。
等。
应用于自动控制和计算机技术。
应用于自动控制和计算机技术。 §14-7 载流导线在磁场受的力和力矩
§14-7 载流导线在磁场受的力和力矩一、安培定律
一、安培定律在磁场 中受到的磁力
在磁场 中受到的磁力
Idl
BBdFIdlB
Idl载流导线所受载流导线所受
I
I
安倍力
安倍力? IdlB
FdF?
L
L 例:如图,求载流直导线 L 在匀
例 如图,求载流直导线 L 在匀:
强磁场中所受磁力。
强磁场中所受磁力。解:任取一电流元
解:任取一电流元 Idl I
由
由 dFIdlB
Idl B
dFBIdl sin得
得
L
方向垂直纸面向内。
方向垂直纸面向内。
由于各电流元所受磁力方向相同,则
由于各电流元所受磁力方向相同,则
L
FdFBI sindlBIL sin
l 0力的方向垂直纸面向内。
力的方向垂直纸面向内。
I
讨论:
讨论:
Idl B
FBIL sinL? 0时,F0 , / 2时,FBIL例: 一载有电流 I、半径为R的半圆 例: 一载有电流 I、半径为R的半圆
形导线, 放在均匀磁场中, 磁场与导线
形导线, 放在均匀磁场中, 磁场与导线
平面垂直, 求该导线所受安培力。
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