低能He2+入射He原子转移电离实验中出射电子成像研究.pdfVIP

第59卷 第12期2010年12月 物摇 理摇 学摇 报 Vol.59,No.12,December,2010 1000鄄3290/ 2010/ 59(12)/ 8摇471鄄07 ACTA PHYSICA SINICA 訫2010 Chin.Phys.Soc. 2+ 低能He 入射He原子转移电离实验中 出射电子成像研究* 1)2) 1)覮 1) 1)2) 1) 1)2) 1) 冯文天 摇 马新文 摇 朱小龙 摇 张少峰 摇 刘惠萍 摇 许慎跃 摇 钱东斌 1)2) 1)2) 1) 1)2) 1)2) 李摇 斌 摇 闫顺成 摇 张大成 摇 孟令杰 摇 张鹏举 1)(中国科学院近代物理研究所,兰州摇 730000) 2)(中国科学院研究生院,北京摇 100049) (2010 年1月29 日收到;2010年6月11 日收到修改稿) 2+ 摇 摇 利用反应显微谱仪对70 keV He 鄄He转移电离过程中的出射电子进行了成像,研究了出射电子的空间速度分 布特征.结果表明:电子主要集中在散射平面内;在散射平面内,电子速度分布介于零与入射离子速度 V 之间(即 p 前向出射)且在散射离子和靶核核间轴处有一极小值,呈现出典型的双峰结构.出射电子的上述分布特征可由出射 电子波函数滓振幅和仔振幅的干涉进行定性解释,滓振幅和仔振幅对出射电子波函数的贡献与碰撞参数相关.在 小碰撞参数下,仔振幅的贡献更加明显;而在大碰撞参数下,滓振幅的贡献更加显著. 关键词:反应显微谱仪,转移电离,电子速度分布,滓振幅和仔振幅干涉 PACC:3470,3480 离子的速度、电荷态及反冲离子电荷态之间的关 1郾 引 言 系.之后,为探索“鞍点电子冶,开展了一系列的实 [3] 验.1987 年 Olson 等 测量了60—200 keV p鄄He 低能(入射离子速度 V 1 a.u.)离子鄄原子碰 碰撞 SI 过程不同角度出射电子能谱,发现在与 p 撞过程中,人们普遍认为入射离子与靶原子形成一 入射束流方向成 17毅角处出射电子能谱有一极 “准分子冶,“准分子冶解离时,靶原子的电子或者被 大值,他们将此作为“鞍点电子冶存在的证据. 文 俘获到入射离子的束缚态,或者仍被束缚在靶上. 献[4,5]对“鞍点电子冶进行了进一步的探索,但 在极少数情况下,电子会出射到连续态,导致靶电 不能确定Olson提出的“鞍点电子冶是否存在.1998 离,相应的反应道为靶直接电离(靶单电离(SI)、靶 年,Abdallah等[6—8]利用冷靶反冲离子动量谱仪对 + + 双电离(DI)等)或转移电离(TI).过去几十年中,人 低能C 鄄He,Ne