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 §1.4 半导体三极管 半导体三极管有两大类型： 一类是双极型半导体三极管； 另一类是场效应半导体三极管。 晶体管的几种常见外型如下： 一、三极管结构简介 二、三极管的放大作用 三、三极管的共射特性曲线 四、三极管的主要参数 五、温度对晶体管特性及参数的影响 六、三极管的应用 七、三极管的选用原则 八、三极管的型号 一、三极管结构简介 双极型半导体三极管由两个背靠背、互有影响的PN结构成。其结构示意图如下图所示。它有两种类型：NPN型和PNP型。 外表上看两个N区(或两个P区)是对称的，实际上结构特点为： 发射区的掺杂浓度大； 基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度低； 而集电结面积大。 二、三极管的放大作用 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。 即发射结正偏，集电结反偏。 下面以NPN管为例介绍晶体管的放大作用。基本共射放大电路如右图。 1、载流子的传输过程 （1）、发射区向基区注入电子。 发射结正偏，有利于多子的扩散；发射区掺杂浓度高，大量自由电子扩散到基区，形成电流IEN。同时，基区的空穴也扩散到发射区，形成电流IEP，但由于发射区的杂质浓度比基区高得多（一般高几百倍），因此： IE= IEN＋ IEP? IEN （2）、电子在基区的扩散与复合。 由发射区注入到基极的电子，成为基区内的非平衡载流少子，并向集电极方向扩散，扩散的过程中会与基区中的空穴复合，形成基极电流IBN。 3）、集电极收集电子。 集电结反偏，有利于少子的漂移，所以到达集电结的电子很快漂移过集电结为集电区所收集，形成集电极电流ICN。 综上所述，三个电极的电流分别为： 2、电流分配关系 双极型三极管有三个电极，其中一个可以作为输入, 另一个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。根据公共电极的不同，有三种接法。三种接法也称三种组态，见下图。 （1）、各极电流的基本关系 （2）、集电极电流与发射极电流的关系 对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数来说明，定义： （3）、基极电流IB和发射极电流IE之间的关系 （4）、基极电流IB和集电极电流IC之间的关系 综上所述，晶体管三个电极电流的简单关系为： 若晶体管输入电流发生变化，即iB=IB+? IB ，那么输出电流也变化，即iC=IC+? IC ，我们定义： 三、三极管的共射特性曲线 三极管的特性曲线是指三极管各电极电压与电流之间的关系。是三极管内部载流子运动的外部表现。 工程上常用的是输入特性和输出特性。 1、输入特性曲线 iB=f(uBE)?UCE=常数 共发射极接法的输入特性曲线见右图。 2、输出特性曲线 iC=f(uCE)?IB=常数 共发射极接法的输出特性曲线如右图所示。 当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如uCE ≥1 V， uBE ≥0.7 V，运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后uCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与uCE轴基本平行的区域 (这与输入特性曲线随uCE增大而右移的原因是一致的) 。 四、三极管的主要参数 半导体三极管的参数分为三大类。 1、 直流参数 ⑴ 直流电流放大系数 ①.共发射极直流电流放大系数 ②.共基极直流电流放大系数 ②.集电极-发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO ICE0不是单纯的PN结的反向电流。当c、e间加上电压后，发射结分配有正向电压，集电结分配有反向电压，因此集电区的少子空穴就要漂移到基区，等于ICB0；同时，发射区的多子电子就要扩散到基区，由于基极开路，由集电区漂移到基区的空穴只能与发射区注入的电子复合，复合部分刚好是ICB0，根据三极管的电流分配规律，发射区每向基区提供一个复合用的载流子，就要向集电区供给?个载流子，因此： 2、 交流参数 ⑴ 交流电流放大系数 ①.共发射极交流电流放大系数? ②.共基极交流电流放大系数α 3、 极限参数 ⑴ 集电极最大允许电流ICM 当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％时，所对应的集