新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应.pdfVIP

第 32卷 第 6期 中国材料进展 Vo1．32 No．6 2013年6月 MATERIALSCHINA Jun．2013 新型磁性隧道结材料及其隧穿磁 电阻效应 韩秀峰 ，刘厚方 ，张 佳 ，师大伟 ，刘东屏， 丰家峰 ，魏红祥 ，王守国，詹文山 (中国科学院物理研究所 ，北京 100000) 摘 要 ：典型的磁性隧道结是 “三明治”结构，即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1nm量级的绝缘势垒层构成。当外加 磁场使两铁磁电极的磁矩 由平行态向反平行态翻转时，隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从 1995年发现室温隧 穿磁电阻(TMR)以来，非晶势垒的AIO 磁性隧道结在磁性随机存储器 (MRAM)和磁硬盘磁读头(ReadHead)中得到了广泛的 应用 ，2007年室温下其磁电阻比值可达到80％。下一代高速 、低功耗、高性能的自旋电子学器件的发展，迫切需要更高的室 温TMR比值和新型的调制结构。2001年通过第一性原理计算发现 ：由于MgO(001)势垒对不同对称性的自旋极化电子具有 自 旋过滤 (SpinFilter)效应，单晶外延的Fe(001)／MgO(001)／Fe(o01)磁性隧道结的TMR比值可超过1000％，随后2004年在单 晶或多晶的MgO磁性隧道结中获得室温约200％的TMR比值 ，2008年更是在赝 自旋阀结构 coFeB／Mg0／coFeB磁性隧道结中 获得高达 604％的室温TMR比值。伴随着新势垒材料的不断发现和各种磁性隧道结结构的优化，共振隧穿和 自旋依赖的库仑 阻塞磁电阻等新效应以及磁性传感器 、磁性随机存储器和 自旋纳米振荡器及微波检测器等新器件逐渐成为科学和工业界所关 注的研究与应用热点。对磁性隧道结(MTJ)材料及其器件应用研究和进展进行了简要介绍。 关键词 ：巨磁电阻效应；隧穿磁电阻效应；磁性隧道结；第一性原理计算；自旋转移力矩效应；库仑阻塞磁电阻；磁随机存储器 中图分类号：TB383 文献标识码 ：A 文章编号：1674—3962(2013)06—0339—15 A TypicalMagneticTunnelJunctionMaterialand EffectsofTunnelM agneto-Resistance HAN Xiufeng，LIU Houfang，ZHANG Jia，SHIDawei，LIU Dongping， FENGJiafeng，WEIHongxiang，WANGShouguo，ZHANWenshan (InstitututeofPhysicsofChineseAcademyofSciences，Beijing100000，China) Abstract：Atypicalmagnetictunneliunction(MTJ)consistsofathininsulatinglayer(atunnelbarrier)，sandwiched bytwoferromagneticelectrodelayers．When therelative magneticconfigurationofboth ferromagneticelectrodelayers changesfrom parallelstatetoanti—parallelstatewithexternalmagneticfield．theresistanceofMTJwouldbecomehighfrom low，exhibitingtunnelmagneto—resistance(TMR)duetospin—dependentelectrontunnelling．AmorphousA10 barrier MTJswereextensivelystudiedan