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H s C w e E N T c. I e D S 浅谈Portunus中IGBT的模型等级 A E 12 撰稿人：许宏亮 背景介绍 作为一款多物理场耦合的系统仿真软件 -Portunus 在电 机控制领域有着独特的优势，Portunus 的仿真领域包含电 路、机械、电磁、温升、电力电子等，被专业应用于自动化 / 控制、交通运输、能源转换、航空航天及传感器设计等多 种行业中。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝 缘栅双极型半导体器件）具有可靠性高、驱动简单、保护容 易、不用缓冲电路、开关频率高、电压型驱动、驱动功率小、 饱和压降低及可耐高压等优点被广泛应用于开关电源及电机 控制器 / 变频器等电力电子领域中。 图 2：IGBT 内部原理图 IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为 MOSFET 来 运行的，只有在 Uds 下降过程后期，PNP 晶体管由放大 区转为饱和区，使漏电流波形增加了一段延迟时间。而在 MOSFET 关断后，PNP 晶体管中存储的电荷又不能迅速消 除，又噪声了漏极电流的拖尾效应，而这些开通关断时间同 时还与集电极电流和结温等参数有关。 Portunus 中有两种层次的 IGBT 模型，分别为平均 IGBT 模型和动态 IGBT 模型。其中平均 IGBT 模型包含了静 态核、时域模型和热网络，用于分析 IGBT 的基本电性能和 热性能；而用 SPICE 接口导入的动态模型则包含了 IGBT 的 所有参数，用于驱动电路的优化、EMI/EMC 等应用场合， 工程师在需要在仿真精度和仿真速度之间做出选择。 图 1：IGBT 特点 从图中我们可以看出 IGBT 的耐压范围大、开关频率高， 是一种理想的电气开关。其原理可以认为是由双极型晶体管 和 MOSFET 组成。 -1- EASITECH Dec. News 12