TiNx缓冲层的制备及对一维SiC纳米材料场发射的影响.pdfVIP

摘要 TiN因具有高强度、高硬度、高熔点、高化学稳定性、耐磨损、良好的导热性等一 系列优点以及在增强材料的光致发光、改变半导体的带宽等方面的应用而成为目前广泛 研究的材料之一。一维SiC纳米材料因其具有良好的热稳定性和化学稳定性、高的热导 率、高的临界击穿场强、较低的功函数和优异的力学性质，成为场发射阴极材料的首选 材料之一，是国内外研究热点。本文以TiNx薄膜为缓冲层，通过制备条件的改变，研 究其对一维SiC纳米材料场发射性能的影响。 在论文工作中，进行了以下几个方面的研究： (1)研究了不同工艺参数对TiNx薄膜的微结构及性能的影响。结果发现：随着溅 射功率的不断增大，TiNx薄膜的晶粒尺寸先下降后增加，厚度先增厚后减薄，薄膜中 N厂ri原子比和电阻率不断下降，而高于一定溅射功率，电阻率趋于某一定值；随着溅射 比逐渐升高，电阻率随之升高；随着衬底温度的升高，薄膜的取向由(200)晶面转向(111) 晶面，柱晶的直径先增大后减小，N厂ri原子比呈升高趋势，而电阻率呈下降趋势。总之， 衬底温度对成分和电阻率的影响是相反的，而溅射功率和溅射压强对这两方面的影响是 一致的。 (2)研究了制备条件对一维SiC纳米材料生长的影响。结果发现：Ni催化剂颗粒大 小决定CNTs的直径，纳米管的定向生长是衬底表面的电场诱导所致，其中自偏压对CNTs 的生长起着至关重要的作用。相同制备条件下，不同微结构的TiNx薄膜表面生长的CNTs 直径均大约为70nm，长度为l lain，表面形貌基本一致。溅射Si及高温退火后得到了具有 物相分析表明，得到的是SiC，说明用模板法可以制备得到一维SiC纳米材料。通过SEM 列性更好。 缓冲层制备条件的不同对一维SiC纳米材料场发射性能有显著的影响，衬底温度越低， 获得的TiNx薄膜中N／Ti原子比越低，其上生长的一维SiC纳米材料的场发射性能越强。 度达到10mA／cm2。而Si02上的生长的一维SiC纳米材料开启电场达到17．8v／岬，在 21．6 助于提高一维SiC纳米材料场发射的性能。这些结果为今后SiC场发射器件的开发提供 有意义的借鉴。 关键词：反应溅射；TiNx缓冲层；一维SiC纳米材料；场发射． Abstract TiNfilmswere duetoits Recently extensivelyinvestigatedhi．ghintensity,higllhardness， chemical toabrasionand and lljgllmeltingtemperature，highstability,resistancehi曲thermal electrical is filmscallbeusedtoenhancethe emissionof more，the conductivity．What light somematerialand thebandofmaterial．One-dimensionialSiCnanomaterialsalso change gap attracteda dealofinterestandbecamethefirstchoiceforthecathodematerialofthe great fieldemissionbecauseofthewellthermalandchemical thermal stability,highconductivity, breakdownfield workfunctionandexcellentmechanical this lligll strength，low property．In films at