枕型二维位置敏感探测器(PSD)的研制.pdfVIP

Sensitive 半导体位置敏感探测器PSD(Position 结的横向光电效应，对入射光斑位置及其位置变化进行探测的光电器件，与光电二极管 丫嚆到和CCD等离散型位置探测器相比，具有光敏面无探测盲区、分辨率高、信号检测方 便、’价格便宜等优点，广泛用于距离测量、角度测量、精确定位等，在科学试验和工程 检测中具有较高的实用价值。 本文在综述发展枕型二维PSD的原因、阐明本文选题依据之后，首先研究了PSD 有关的理论问题。详细地介绍了PSD基于的pn结的纵向光电效应与横向光电效应、 8mmx8mm枕型二维PSD。 在制作工艺方面，制作枕型二维PSD的关键在于Gear定理的满足，即单位长度边 界电阻应等于光敏区的方块电阻与边框曲率半径的比。在比较半导体工艺中常用的掺杂 ^ 技术后，由于离子注入的均匀性好，掺杂能精确控制且适合制作浅结，故选用离子注入 ， 掺杂方法形成边界与光敏面薄层电阻，并详细介绍了器件制作流程与工艺。 牟’ 本文还对枕型二维PSD的信号处理技术进行了研究，并对其进行了位置线性度测 量，与日本滨松的枕型PSD器件参数比较，我们制作的枕型PSD的位置线性度达到或 者优于其标准，达到了设计的目标。 最后，研究了枕型二维PSD的极间电阻与Gear定理之间的关系，可由具体器件的 极间电阻确定其单位长度的边界电阻与光敏区方块电阻，从而可以用Gear定理来判别 器件的位置线性度，克服了试片法以一概全的缺点。 关键词位置敏感探测器，位置线性度，位置误差，枕型PSD，极间电阻 Positionsensitive adevice thelateral effect detector(PSD)isutilizing photoelectric which thenon-uniformilluminationofasemiconductoritCanbe producedby junction,and to the‘‘center useddetect ofmass’’ofthe incidentonthesurfaceofthedevice light tothediscrete detectorsuchasthe of or continuously．Contractedposition arrayphotodiodes hasthe ofnonedeadareainthesensitive CCD，PSDadvantages area,high andlowcost．Thesecharacteristicsmakeit for circuitry suit the especially precise m