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GaN 基LED 表面微纳结构的偏振出光 中文摘要 GaN 基LED 表面微纳结构的偏振出光 中文摘要 亚波长金属光栅结构是近年来迅速发展起来的纳米功能元件之一。将亚波长光 栅结构和GaN 基LED 发光芯片集成一体，在提高出光效率的同时，使LED 具有直 接偏振出光功能，对掌握光电子器件核心技术具有重要的意义。这种高效偏振出光 的LED 在集成光子学、光电子器件和新型光显示技术等都有着广阔的应用前景。 本论文主要对GaN 基LED 表面的亚波长金属光栅结构的理论设计和制作方法 展开了研究，主要包括以下几方面： 1．利用等效介质理论分析了GaN 表面介质膜结构，通过对过渡介质层的优化， 实现了对光传导的调控，改善了结构的光学性能。利用 FDTD 方法研究了 GaN 基 LED 表面嵌入式复合光栅结构，分析了光栅材料性质和结构尺寸，包括过渡介质层 和复合光栅的材料、过渡介质层薄膜厚度、复合光栅的周期、占空比和深度等等， 说明了在 GaN 基底和光栅层之间引入过渡介质层结构，可以增强蓝绿光波段 LED 的的偏振出光。 2 ．在GaN 基LED 的表面设计了两种新型的表面微纳偏光结构：（1）空气隙偏 振型金属光栅结构，由于更多的能量被局域在空气隙内，近场耦合增强，使得更多 的TM 光透过，该结构的偏振透射率达到88%，消光比为37dB，匹配波段几乎覆盖 整个可见光范围，且光栅周期设计达到200nm ；（2 ）纳米颗粒阵列的亚波长金属光 栅结构，绿光波段透射率达到84%，消光比为26dB ，而且纳米颗粒阵列结构可以降 低凹槽填充的难度。 3 ．介绍了亚波长金属光栅结构的制备工艺，研究了光刻剥离工艺和全息-离子 束刻蚀工艺。采用紫外激光双光束干涉光刻技术和剥离工艺，初步研究制作了330nm 周期的复合光栅结构，扫描探测了所得光刻胶光栅掩膜的形貌，并对光栅结构进行 了偏振性能测试。 I 中文摘要 GaN 基LED 表面微纳结构的偏振出光 关键词：GaN 基LED ；亚波长金属光栅；偏振；激光干涉光刻 作者：邢贺 指导老师：曹冰 II GaN 基LED 表面微纳结构的偏振出光 英文摘要 Polarization transmission of surface nanostructure on GaN-based LED Abstract Being integrated on the emitting surface of GaN based LED for increasing the light extraction efficiency and enhancing the polarization transmission, the subwavelength metal grating has been developed rapidly in recent years. The multi-functional GaN based LED with polarized light emitting has potential applications in flat-panel display and optoelectronic devices which is in gre