显微结构分析（一）.docVIP

顯微結構分析 一 半導體晶片表面缺陷之分析 龔志榮副教授編撰 一、實驗之目的 本實驗旨在使學員了解，如何使用化學浸蝕方式顯現半導體晶片表面材料缺陷和利用光學干涉顯微鏡觀察晶片表面之浸蝕孔，進而評估晶片缺陷之密度。 二、實驗設備和材料 實驗設備主要為諾瑪斯基干涉式光學顯微鏡 Nomarski interference contrast optical microscope ，用來觀察經化學浸蝕後之砷化鎵 GaAs 晶片表面狀態。 三、實驗原理 一 半導體材料缺陷孔蝕之分析 晶格缺陷一般均會存在於材料內部，它們的存在通常都會影響材料的特性。由於半導體材料大都應用在微電子元件及光電元件中，材料內部的缺陷往往會導致元件功能之不良或壽命之衰減，對於缺陷的容忍度很低。因此探討半導體晶片表面的缺陷例如差排等，乃評估晶片品質好壞的指標。在所有缺陷分析方法中，藉由濕式化學浸蝕 wet chemical etching 來顯現半導體材料內之差排孔蝕 etching pit 密度，是最常被用來鑑定半導體晶片品質的方法之一。 在濕式化學浸蝕中，浸蝕液對缺陷區附近材料之浸蝕速率高於非缺陷區，因此常會發生選擇性孔蝕 selective etch ，因此在干涉式光學顯微鏡下即可清楚的觀察到缺陷，並得以計算其密度。表一所列為部份半導體晶片缺陷孔蝕所使用之浸蝕液組成圖。圖一為干涉式