钒掺杂W18O49纳米线的室温p型电导与NO2敏感性能.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 20 (2013) 208104 钒掺杂W18O49 纳米线的室温p 型电导与NO2 敏感性能* † 秦玉香 刘凯轩 刘长雨 孙学斌 ( 天津大学电子信息工程学院, 天津 300072 ) ( 2013年5月31 日收到; 2013年7月3 日收到修改稿) 钨氧化物纳米线在高灵敏度低功耗气体传感器中极具应用潜力, 且通过掺杂改性可进一步显著改善其敏感性 能. 本文以WCl 为钨源, NH VO 为掺杂剂, 采用溶剂热法合成了钒掺杂的W O 纳米线. 利用扫描电镜、透射电 6 4 3 18 49 镜、X 射线衍射、X 射线光电子能谱仪表征了纳米线的微结构, 并利用静态气敏性能测试系统评价了掺杂纳米线的 NO2 敏感性能. 研究结果表明: 五价钒离子受主掺杂进入氧化钨晶格结构, 抑制了纳米线沿轴向的生长并导致了纳 米线束的二次集聚; 室温下, 钒掺杂W18O49 纳米线接触NO2 气体后表现出反常的p 型响应特性; 随工作温度逐渐 升高至约110 ◦C 时, 发生从p 型到n 型的电导特性转变; 该掺杂纳米线气敏元件对浓度低至80 ppb (1 ppb 10−9) 的NO2 气体具有明显的室温敏感响应和良好的响应稳定性. 分析并探讨了钒掺杂W18O49 纳米线的高室温敏感特 性及其p-n 电导转型机理, 认为钒掺杂W18O49 纳米线在室温下的良好敏感响应及反常p 型导电性与掺杂纳米线表 面高密度非稳表面态诱导的低温气体强吸附有关. 关键词: 氧化钨, 纳米线, 气体传感器, 室温灵敏度 PACS: 81.07.Gf, 07.07.Df, 85.35.−p DOI: 10.7498/aps.62.208104 人员一直致力于降低其工作温度的研究, 但如何实 1 引言 现氧化钨传感器对低浓度NOx 毒性气体的室温探 测目前还是一项极富挑战性的课题. 工业废气、燃烧、汽车尾气等产生的NOx 气 对多种一维WOx 的研究表明, 超细的W18O49 体在污染环境的同时对人类健康造成严重威胁. 研 纳米线在室温下即可对NO , NH 等表现出微弱的 2 3 67 究用于NOx 的准确检测和监控的高性能气敏传感 敏感响应 , 是一种潜在的室温敏感材料. 但是目 器材料与器件对保护环境和人类健康意义重大. n 前W18O49 纳米线传感器工作在室温下时其灵敏度 67 型半导体氧化钨对NOx 气体具有很高的灵敏度和 比较低, 并存在明显的基线漂移现象 . 以往的研 良好的选择性, 并且对湿度不敏感, 是一种极有研 究证明, 掺杂或者表面改性是一种提升半导体氧化 1 89 究与应用前景的NOx 敏感材料 . 特别是各种一维