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CuInSe2半导体纳米晶的合成及其性质研究 刘玉峰，，葛美英，乐阳，孙艳， 中国科学院上海技术物理研究所 摘要,CulnSe2半导体材料的禁带宽度为1．04 eV，可以通过Ga掺杂代替In形成Culnl．。GaxSe2 材料调：仃其禁带宽度达到或接近理想太阳电池材料的禁带宽度值，且此材料具有较高的光吸 收系数，已经J’。泛应用于光伏领域。本文用简单的溶液化学方法合成了CulnSe2纳米品，并 对其性质进行了研究。 关键词：CulnSe2；半导体；纳米晶；禁带宽度；太阳电池 1．引言 CulnSe2半导体材料的光吸收系数高，太阳电池的理论转化效率可达25％．30％【1．3】。其 禁带宽度可以通过Ga掺杂代替In形成CuInl一。GaxSe2材料调节其禁带宽度达到或接近理想 太阳电池材料的禁带宽度值【4】，已经作为光吸收层广。泛的应用于太阳电池领域。 尽管薄膜太阳电池器件的效率较高，但器件效率已经接近理论光电转化效率，很难再有 较大的提升空间，并且器件制作需要的设备昂贵，另外薄膜太阳电池器件制作工艺比较复杂， 由此带来的成本较高，发电的价格仍然无法和常规能源发电竞争15】。新近发明的纳米晶太阳 电池打破了此类材料器件存在的问题，纳米晶太阳电池的制作需要的设备简单，价格较低， 且制作工艺相当简单，只需将纳米晶通过滴加，旋涂，浸渍，打印等各种方式沉积在衬底(包 括柔性衬底)上即可形成薄膜，而且可以实现大规模生产【5J。目前，已经有CulnSe，纳米晶合 成和光电性质等方面的研究工作【6‘10l。 2．CuInScz纳米晶的合成 mmol mmol (1)用电子天平称取0．2 CuCI(0．0198曲，0．2lnCl3(0．0442g)依次加入到一 支100ml的三口圆底烧瓶中，然后加入lOml油胺进行搅拌，通氨气除气30分钟，升高温 度到1300C保持30分钟使反应物前躯体混合均匀。 ml (2)称取2 g)硒粉加入到一支20ml的梨形瓶中，然后用微量移液器取1．5 mmol(0．158 三辛基膦加入梨形瓶中与硒粉混合超声，直到硒粉完全溶解于三辛基膦形成澄清溶液。 (3)将三口瓶反应温度升高到285oC后，将梨形瓶中三辛基膦硒混合液注入到三口瓶中 反应5分钟。将得到的纳米晶产物注入到40ml无水乙醇中进行冷却，然后以12000转／分 钟的速度离心3分钟收集纳米品，将最终得到的纳米晶分散在氯仿中。 3．CuInSe2纳米晶的性质研究 图1为金属源完全溶解后注入TOPSe后反应5rains的纳米晶形貌图，从图中可以看到 纳米晶粒径大小均一，平均粒径为78nm，均匀分散在硅片衬底上形成一层纳米晶薄膜，无 明显团聚现象，说明纳米晶表面钝化效果良好。这一点在制作纳米晶太阳电池时具有很大的 优势，因为在制作纳米晶太阳电池时，通常面临的一大难题就是如何解决纳米晶团聚的问题。 如果纳米晶容易团聚，直接影响纳米晶的成膜质量，如表面厚度不均，纳米晶之间存在较大 间隙等，这些因素会导致层间缺陷、晶界增多，形成深能级和载流子复合中心，直接影响光 伏器件吸收层上一层的质最，降低电池效率。因此，制作较好分散性的纳米晶体对于制作纳 米晶太阳电池有非常重要的意义。 247 藤 幽1CulnSe2纳米品的SEM圈 CulnSe，为四面体结构，每个硒原子和两对cu和In金属阳离于连接，同样每个阳离子 周围连接四个硒阴离子。在品格中阳离子的排布导致两种晶体结构产生，一种是黄铜矿结构 CulnSe，的晶体结构，在黄铜矿结构中印和ln金属圈1离子有序排列，分别II据(o，0，o)和 0／2，1／2．0)的位置。另外一种结构为闪锌矿结构，在闪锌矿结构中Cu和In金属阳离子排 列为无序状态。两种结构的XRD仅高阶峰上有差别，因此很难从XRD中判断CulnSe2是黄 铜矿结构还是闪锌矿结构。 57