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掺染料非均匀周期光子晶体带边双增强自发辐射放大研究 应翠凤，周文远宰，叶青，丁大同，田建国 1) 南开人学物理科学学院天津(30007 摘 要：光子晶体由丁其介电常数的周，明性，内部光子态密度的分布明显区别于均匀物质，显著影 响了内部荧光物质的自发辐射。自发辐射在带隙位置被抑制，在带边位置被增强。同时，在光子品 体中带边的群速度接近于零，电场与增益物质相互时间延长，产生带边增强效应，目前这一效应被 广泛用于自发辐射放人研究。本文利川重铬酸盐明胶薄膜制备了掺杂荧光染料R6G的一维光子晶体， 其正入射长波禁带边与发射荧光波长相重合，并进一步利用一维全息光子晶体能带结构的角度调谐 特性，在特定入射角度下将长波禁带边调偕到入射激发光波长处，实现带边态密度增加和光速减慢 双增强自发辐射放人研究。实验中获得了白发辐射放大倍数达3．5以上，并观察!i}|j实现了低闽值激 射现象。在实验基础上本文采用稳态数值解法，分析全息光子品体内电场分布。并用=I卜均匀模型以及 传输矩阵法，拟合了非均匀周期光子晶体的透射谱和掺入若丹明6G的重铬酸盐明胶全息光子晶体 的自发辐射增强与抑制效应，理论与实验结果符合较好。 关键词：DCG光子晶体自发辐射放大非均匀修正模型 1．引言 用前景吸引了一大批科学家进行理论和实验研究。原子或分子的自发辐射几率受周围热库环境即电 磁场态密度的影响，而光子晶体中伴随着光子态密度(DOS)的改变，在禁带中DOS为0，原子的自 发辐射被抑制，在带边位置DOS增大，原子的自发辐射增强【3】。光子晶体的带边增强效应在一维 [4-6】，二维，三维【7．9】带隙材料中都有被观察到。自发辐射调控研究是量子光学的核心内容之一， 在微型激光器、LED、单光子源、太阳能利用等方面都具有非常重要的研究价值。1993年P．Dowling 证明了光子晶体带边群速度接近于零，电场与增益物质相互作用时间增强，增益和非线性作用被放 大[10】。可实现低闽值带边激光器。近几年在液晶【4，6】，及其它光子晶体中的低闽值带边激光都已 被观察到【5，ll】。 利用光子晶体的带边增强效应进行自发辐射增强主要有两种途径：第一种途径是通过提高荧光 发射频率处的光子态密度，使得自发辐射耦合到光子模式内的比率增加从而产生自发辐射增强。第 二种途径是通过减慢激发光的光速，使得局域电场强度增加从而提高激发光的激发效率。目前已报 道的研究成果主要集中在通过提高荧光发射频率处的态密度，实现自发辐射增强或自发辐射放大， 并进一步实现低阈值激射效应。文献f5】利用明胶全息光子晶体进行了短波带边态密度增加产生自发 辐射增强的实验，并观测到了低阈值激射现象。文献【ll】报道了同时用两种方法进行自发辐射增强的 enhancement)，但没有能够观测到自 研究成果。观测到了自发辐射增强现象(amplifiedspontaneous 发辐射放大(amplifiedspontaneousemission，ASE)和激射(1asing)现象。 2由于全息光子晶体具有制备成本低，工艺简单，可大面积加工等优势，在自发辐射放大领域具 有独特的研究价值。本文采用重铬酸盐明胶作为全息材料[12．13]，其折射率调制度高达0．13[14]，与 其它全息材料相比高很多。明胶全息光子晶体具有特殊的微孔结构【5，15]，易于填充荧光染料、非线 性材料等进行相关研究，并且在掺杂过程对带隙的改变和影响比蛋白石结构光子晶体小很多。一维 全息光子晶体的角度调谐特性好，禁带位置随测量角度的变化而变化，同时能保持带边形状基本不 幸E·mail： wyzhou@nankai．edu．cn 变。 本文利心重铬酸盐明胶(DCG)制备了掺杂荧光染料若丹明6G的一维光子品体，其法线方向 K波禁带边与若丹明6G发射荧光波长相重合，22。方向长波禁带边可调谐至入射激发光波长532nm 处，从而实现了带边态密度增加和光速减慢双增强白发辐射放人效应，并观测剑了激射现象，实验 中获得了臼发辐射放人倍数达3．5以上。结合实验结果，刚一种稳态数值解法计算各波K-卜．～维全 息光子品体内部电场相对丁．均匀介质的光强放人系数。利蹦1卜均匀模型修正【15．161，从实验得剑的 重铬酸盐明胶光子晶体透射谱，拟合得剑相应的参数，结合稳态数值解法【17．18】模拟白发辐射增强 情况。理论结