硅模拟和模拟%2f混合信号集成电路技术发展路线研究.pdfVIP

201】年11月 第f七届争国半导体集成电路、硅材料学术会Ⅸ 中国=Ⅲ 硅模拟和模拟／混合信号集成电路技术 发展路线研究 徐世百12，赖凡’ 模拟颦域电镕晕点实验空，t呋4000eo：2中国电丁科技集团*d震睫声光电0q．重庆400060： 3中国电了科技集团0·d第“研究所，重庆400060) 摘要： 国际半导体技术路线图(ITRS)为耒来半导体技术发展提供7发展路线预测，以国际半 导体技术路线图为依据，研究7硅模拟和模拟，混合信号集成电路技术发展的特殊性和复杂性，阐明 7硅模拟和模拟／混合信号集成电路技术的发展路线，并对实现硅模拟和模拟／混合信号集成电路技 术发展目标的技术路径提出7建议， 关键词： 硅，硅基；模拟集成电路；模拟，混合信号集成电路；接比例缩小；功能多样化；超越摩 尔定律：异质集成；纳米器件 1硅，硅基模拟和混合信号集成电路技术发展路线 1 I 国际半导体技术发展路线 在过去的二十五年间，按比例缩小的摩尔定律在芯片制造的诸多方面一直起着指导作用，外将继续指 导微电子技术的发展。而最近几年编撰的国际、r导体技术路线圈在继续强调“按比例缩小”的摩尔定律延 续趋势以外．着重反映了半导体技术正在从几何尺寸的按比例缩小向等效按比例缩小的A向上发展的趋势。 等效“按比例缩小”的价值提升冉案．特别是“摩尔定律及更多”、“超越CMOS器件”的“新兴器件 研究”疗法，将通过设计创新、工艺创新和软件嵌入等方案，继续指导、}导体T业未来i十‘r的芨展。预 计在下个十q诛期，将需要通过引入多种新型器件来增强CMOST艺的能力，并吲此希望能够实现超越 什，但将在芯片级或封装级别上实现芹质集成的新能力。图l反映了“按比例缩小”、“摩尔定律及更多” 和“超越CMOS器件”的发展趋势。 传统的总 特祉模型 图1国际半导体技术发展路线图 2硅和硅基模拟和模舢混台信号羹成电路技术发展路线 作为信息产业基础技术之一的模_Ic【和模拟／混台信号集成电路技术，自然也是国际’r导体技术发展路线 徐世六等：硅模拟和模拟／混合信号集成电路技术发展路线研究 的重要构成部分。国际半导体技术发展路线图详细描绘了模拟和模拟／混合信号集成电路发展路线，大致可 归纳为以下三个方面的发展趋势t 1)按比例缩小，延续摩尔定律 器件一样，遵循按比例缩小，延续摩尔定律几何尺寸的发展趋势，但尺寸缩小速度要比数字CMOS器件滞 后大约两个工艺代以上。按比例缩小指的是片上器件物理特征尺寸的持续缩小，从而改善密度(降低功能 电路的成本)、性能(速度、功耗)和可靠性，提高对应用和终端客户的价值。 2)功能多样化，超越摩尔定律 “功能多样化，超越摩尔定律”指的是基于或者从硅技术出发，但却不是单纯按摩尔定律等比例缩小 的技术和产品。在这一方向下，“摩尔定律”的按比例缩小不是必要的、也可能不是主动性的。它可以是 在某一技术节点层面上，以不同的方式(例如创新的设计方案)，为终端客户提供附加价值。 超越摩尔定律的方法集成多样化功能，重点探索将非数字功能(例如射频通信、功率控制、无源元件、 传感器和致动器)与数字功能集成在一起，并逐步达到从系统板级向特定的封装级系统(SiP)或芯片级 系统(SoC)过渡的目的。并且，复杂的嵌入式软件将越来越紧密地集成到SoC和SiP中。因此，软件可 能成为直接影响性能提升的基本因素。超越摩尔定律的目标最终可能是实现多学科融合、集成异质3D、 SiP、SoC和微系统。 预计，超越摩尔定律的相对比重将随时间而越来越大。相对比重的增加导致科学领域的多样化发展。 3)发展新兴材料和器件，超越CMOS 预计，CMOS数字器件在2020年将达到物理极限。因此，开发能够保持性能提升速率，同时又能降 低成本的新材料、新器件是至关重要的。 发展用于新兴器件研究的材料，包括替代性沟道材料(包括对锗、Ⅲ-v族化合物半导体、石墨烯、碳 纳米管和纳米线等进行关键评估)，用于不基于电荷的超越CMOS器件的材料和用于存储器的材料。 发展超越CMOS器件，包括基于碳的纳米电子器件、基于自旋的器件、铁磁逻辑器件、原子