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第 37卷 第 5期 金 属 学 玫 V01．37 No．5
2001年 5 月 ACTA M ETALLURGICA SINICA M av200 1
疲劳 Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场
杨继红 ，z) 李 勇 ) 李守新 ) 马常祥z) 王 刚s) 柯 伟 )
1)中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室，沈阳 110016
2)东北大学材料物理系，沈阳 110006
3)沈阳大学信息工程学院，沈阳 110044
摘 要 利用扫描电镜电子通道衬度 (SEM—ECC)技术，对单滑移取向疲劳Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带
(PSBs)位错结构的演化进行了观察．且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算，给出了PSBs演化过程中典型位错
结构内应力场的分布．结果表明：在从基体脉络位错结构到 PSBs位错结构的演化过程中，内应力的分布是不均匀的，位错密集
区域 (基体脉络和PSBs墙中)比位错贫乏区域 (通道中)平均内应力分布相对集中，PSBs夹层与基体相比平均内应力的分布
相对较弱， PSBs与基体边界处存在很大的应力差 由观察和计算结果对 PSBs演化给出了一个新的可能的演化机制．
关键词 疲劳Cu单晶，驻留滑移带的演化，内应力场，位错结构模拟
中图法分类号 TG614．121，TGl13．255 文献标识码 A 文章编号 0412-1961(2o01)05—0507—05
EVoLUTIoN oF PERSISTENT SLIP BANDS AND ITS
INTERNAL STRESSFIELD IN A n TIGUED
CoPPER SINGLE CRYSTAL
YANG Jihongl,2) LIYong¨，LIShouxin¨，Ma Changxiang2) W angGang3) KE Wei)
， ， ，
1)StateKeyLaboratoryforFatigueandFracture0fMaterials，Institute0fMetalResearch，TheChineseAcademyof
Sciences，Shenyang 110016
2)DeportmentofMaterialsPhysics，NortheasternUniversity，Shenyang110006
3)CollegeofInformationEngineering，ShenyangUniversity，Shenyang110044
Correspondent：YANGJihong，Tel：(02455207,E-mail：jhyang_cn@yahoo．com．cn
M anuscriptreceived 2000-10-18 in revised of rm 2001-02-18
ABSTRACT Theevolutionfrom theSO—callmatrixveintopersistentslipbandsfPSBs1ina
fatiguedcoppersinglecrystalofsingle-slip——orientedhasbeeninvestigatedbyusingelectronchanneling
contrastfECC)techniqueinascanningelectronmicroscopefSEM1．Thedistribution
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