偏4°碳化硅衬底厚膜同质外延生长研究.pdfVIP

第十六一全■化奢物牛·lH奉、做波器件和光电囊l件掣眯●峨 投稿分类号：MGC 偏4。碳化硅衬底厚膜同质外延生长研究 刘兴叻。，孙国胜¨，吴海雷，闫果果，王雷，赵万顺，董林，郑柳， 曾一平，李晋闽 (中国科学院半导体研究所。北京100083) 摘要：使用国产低压化学气相沉积设备(LPcVD)在小偏角(朝11-20方向偏4。)碳化硅衬底上进行了厚膜同质外延生长研究。 通过优化外延工艺，我们获得了高质量、低缺陷密度的同质厚膜外延生长工艺窗口，经Ra毗n散射对外延样品结晶质量测试及 断匝S脚描对生长厚度测试发现，外延层结晶小仅与生长温度有关，还与生长速率有关。对在1650。C下生长的结晶质量良好 的4H—SiC外延层进行了厚度分析、原子力硅微镜(AFM)测试，发现低碳硅比(O．5)条件有利f改善厚度均匀性，而且袭面形 貌比较平整，5um×5u 长条件为生长温度1650。C，碳硅比0．48~o．54，TCS流量40sccm，生长速率町达40u-／h，表面形貌平整，可以满足器件制 作的要求。 关键词：碳化硅，小偏角．同质外延，厚膜，功率器件 方法的生长速率极限，以获得表面平整度高、 l 引言 背景载流子浓度低、结晶质量完整、厚度达 碳化硅(sic)材料作为第三代半导体材 到100微米的SiC外延材料。基于上述要求， 料，具有高l临界击穿场强、高的热导率、高 我们在普通外延生长技术的基础上发展了快 的电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物 速外延生长技术【7J。快速外延生长速率能达 理、化学稳定性等特点，在高温、高频、大 到每小时几十微米，与普通外延比较起来， 功率、抗辐射等领域，尤其是高温或强腐蚀 快速外延能够节省大量的生长时间，减少生 性等恶劣环境中具有巨大的应用潜力1。SiC 长过程中的损耗。 的击穿电压很高(大约是Si的10倍)，这对 2实验 于大功率高压开关器件来说是非常重要的。 实验采用N型4H．SiC衬底，尺寸为lO 对于一个尺寸与Si器件相同的SiC器件，其 mmxl0蚴和2英寸两种，生长面为Si面， 阻塞电压将是si器件的8倍。更为重要的是， 外延表面朝11-20方向偏40。外延之前，衬 由于SiC还具有高饱和电子漂移速率(Si的 底经以下步骤清洗：(1)分别采用三氯乙烯、 2．5倍)以及高键合能等优点，SiC器件的导 丙酮和无水乙醇水浴加热，煮沸10分钟，然 通电阻比Si器件低100．200倍，这是制造高 后分别用去离子水冲洗；(2)浸入到H2S04 频大功率器件的理想材料。这些参数及特性 表明SiC可以用于制造体积小、效率高的高 煮沸10分钟，再用去离子水冲洗；(3)浸入 温、大功率微电子器件，实现系统的高效节 到HCl、H202和去离子水配成的洗液(HCI： 能、以及小型化和轻量化[2,31。在SiC众多多 H202：DI=I：l：5)中，煮沸10分钟，再用去