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第40卷 增刊 V01．40
电子科技大学学报 Suppl．
2011年4月 Journal ofElectronicScienceand ofChina
ofUniversity Technology Apr．2011
脉冲激光沉积制备阻变存储器用NiO薄膜的研究
雷华伟，朱俊，刘莹莹，唐正瑜，郝兰众，张 鹰
(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054)
变性质的影响．结果表明，lPa氧分压下制备的NiO薄膜表面乎整度最高，表面均方根粗糙度为O．51nm．Au／Ni／NiO／Pt结构的
^网嘲试曲线表明其fonn协g电压为4．4V，高低阻态比值为2个数量级，并表现出可逆的阻值翻转现象．
关键词／-z；氧化镍薄膜：PLD；阻值翻转
中图分类号0484．1，0484．2 文献标识码A doi：lO．3969，j．issn．1001．0548．2011．z1．021
ofNiOThinFilmsforRRAM
Preparation Application
PulsedLaser
by Deposition
LEI
Hua-wei，ZHUJun，LIU
Ying-ying，TANGZheng-yu，HAOLan-zhong，andZhangYing
ofElectronicThinFilmsand ofElectronicSeien∞and ofChina
(stateKeyLabontofy IntegratedDcvic强University Technology Chengdu610054))
AbstractThe t11in
Ni0 filmsforRRAM on laser．
polycrystalline applicationgrownPt／Ti／SiOz／Sibypulsed
were effectsof onthe
deposition microstructure，surface
investigated．Theoxygenpartialpressure
thecharactersofresistance were through force
switchinganal37zed X-raydiffraction(xgo)，atomicmicroscopy
measurement．TheexhibitsthatthesurfaceofNiOtllinfilms atl Paissmoothest,
(AFM)and／-V study prepared
andtherootmean 0．5l of
nm．The Au／Ni／NiO／Pt
squaretoughnessvalues(RMS)isformingvoltage
structure4．4
iS V．Theresistanceof resistivestateandlOWresigivestateisas astWO
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