AN119半导体刻蚀酸中阴离子型氟化物表面活性剂的测定.pdfVIP

  • 12
  • 0
  • 约5.13千字
  • 约 5页
  • 2017-09-04 发布于重庆
  • 举报

AN119半导体刻蚀酸中阴离子型氟化物表面活性剂的测定.pdf

Dionex 应用注解 阴离子 AN119半导体刻蚀酸中阴离子型氟化物表面活性剂的测定 引言 全氟化表面活性剂在半导体酸蚀刻溶液中起润湿剂的作用。酸蚀刻剂能够在二氧化硅 材质上雕刻出细的划痕。在半导体的制作中,如果酸蚀刻剂的润湿性不好可能有气泡生成, 这些气泡会附着在刻蚀表面,影响信号。可以通过增加少量的表面活性剂减少气泡的形成, 从而提高溶液的润湿性。 这篇文章将对阴离子型的氟化物表面活性剂(FC-93 )进行分析,该表面活性剂能够在 酸性和碱性溶剂中稳定存在。含有全氟碳表面张力很低,而且使用该表面活性剂能得到相同 的很细的划痕。由于能够消除气泡的影响,而且在酸性和碱性环境中都能稳定存在,延长其 使用时间。但是这种氟化物的表面活性张力价格昂贵,所以开发一种定量分析低浓度ppm 级 表面活性剂的方法是非常必要的。 这篇AN 中描述了测定刻蚀酸(HF与NH F 的体积比为1:6 )中阴离子型氟化物表面活 4 性剂(FC-93)的方法。样

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档