BaTiO3-BIT-Nb2O5无铅陶瓷介电性能的研究.pdfVIP

V01．40 第40卷 增刊 电子科技大学学报 Suppl． Journal ofElectronicScienceand ofChina Apr．2011 2011年4月 ofUniversity Technology BaTi03．BIT．Nb205无铅陶瓷介电性能的研究 王瑾菲1，蒲永平2，杨同青1，杨公安2 (1．同济大学功能材料研究所上海杨浦区200029：2．陕西科技大学材料科学与工程学院西安710021) 进传质．BIT，亦可作为展宽荆，导致居里温度前移，介电性能有较大改善．而随著Nb2q掺杂量的增加，陶瓷样品的晶粒存在 异常长大的现象，使得陶瓷不够致密．陶瓷宣温介电常数则随Nb20，掺杂量的增加大体上呈现出减小的趋势，当Nb205掺杂量 787． 为1．5wt％，B11掺杂