金刚石%2f碳化硅复合梯度膜制备研究.pdfVIP

第19卷第1期 无机材料学报 Vol19．No1 2004年1月 Journalof Materials Inorganic Jan．2004 文章编号：1000—324X(2004)01-0253-04 金刚石／碳化硅复合梯度膜制备研究 石玉龙1，姜 辛2 lhaunhoferInst．for (1．青岛科技大学材料与环境科学学院，青岛266042；2 Sur Eng．ThinFilm，BienroderWeg54E，D一38108) 摘要：采用微波等离子化学气相沉积(MW-PCVD)制各金刚石／碳化硅复合梯度膜．工作气 05％， 体为H2，CH4和Si[CH3]4(四甲基硅烷，TMS)，其中H2：CH4=100：06，Si[CHa]4为o％～o 沉积压力为3300Pa，基体温度为7DO。C，微波功率为700W基体为单晶硅，在沉积前用纳米金 刚石颗粒处理．沉积后的样品经扫描电子显微镜(SEM)，电子探针显微分析(EPMA)，X射线 能量损失分析(EDX)表明：沉积膜中的碳化硅含量是随Si[CHa]4流量的变化而改变．通过改 变Si[OH3]4的流量可以制备金刚石／碳化硅复合梯度膜，且梯度膜中金刚石与复合膜过渡自 然平滑． 关键词：微波等离子体化学气相沉积；金剐石；复合梯度膜 中圉分类号：TB43文献标识码：A 1引言 金刚石膜有很好的光学特性，可用于光学窗口；良好的导热性，可用于电子元件的热 沉}金刚石膜掺杂后可用于电极材料和传感器，并将作为半导体材料在电子工业中起重要 的作用；由于它有很高的硬度，可用于机械加工的刀具和模具．目前，低压合成金刚石薄膜 已得到了一些应用，但在刀具、模具的应用中，如何提高金刚石膜与基体的结合牢度是人 们一直想要解决的问题． 因为低压沉积金刚石的温度都较高，金刚石膜与基体材料之间的热膨胀系数差别较大， 造成基体边缘处膜-基界面因高热诱发的切应力使金刚石膜的结合力变差．为了改善金刚 石膜与基体的结合牢度，一般采用了旌加易形成碳化物的金属(Ti、Cr、Mo、W)、非晶 碳和化合物(TiN、SiC)等中间过渡层的方法【“≈，但是这些方法不能有效的减少热应力的 影响，没有改善膜与基体的结合力．而加入亚稳态基金刚石复合相，如金刚石／碳化硅或金 刚石／碳化钛【8，…，较一般中间层有很大的优点，它可以把热应力分布到整个复合过渡层， 有效地减小膜-基之间热诱发的切应力的峰值[zol，从而提高金刚石膜与基体的结合强度． 目前，以复合梯度层作为金刚石膜与基体的过渡层的研究工作还不多见．本文主要探讨了 金刚石基的金刚石／碳化硅膜的气相沉积技术，并分析了它的结构，组成和形貌． 02一10 收稿日期：2002—12—05，收到恪改稿日期；2003 基金项目：山东省自然科学基金(Y2001F10) cD 作者畸升；百玉龙(194卜)．男，教授-E—ma／l：ylshi@public．qd．sd 万方数据 无机材料学报 19卷 M1