离子束溅射自组装生长Ge%2fSi量子点浸润层的研究.pdfVIP

张学贵等：离子柬溅射tl组装生长Ge／Si量子点浸润层的研究 离子束溅射自组装生长Ge／Si量子点浸润层的研究’ 茺1，杨 亮1，杨 张学贵1，王 杰h2，鲁植全1，潘红星1，李 宇1 (1．云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所，云南昆明650091， 2．昆明理工大学冶金与能源工程学院，云南昆明650093) 摘 要： 采用离子束溅射技术，通过控制沉积量、温 长量子点进行了长期的研究，不久前在750℃时生长 z 度等参数，在11型Si(100)衬底上自组装生长了一系列出密度为1．85×1010cm～，高宽比为14的细密均匀 Ge量子点样品，利用AFM和Raman光谱对样品表面 的量子点cl引。使离子束溅射方法生长的量子点满足 形貌和结构进行表征，并研究浸润层随生长参数的变 量子点器件需要成为可能，但对离子束溅射方法生长 化情况。结果表明，在离子束溅射方法生长Ge／Si量量子点的生长机理还需深入研究。 子点的过程中，浸润层的厚度并非理论上的4～6ML， 在本文中，在Si(100)衬底上生长了一系列不同参 而是约为8～1lML；而且低温下生长的浸润层厚度要 大于高温下生长的浸润层厚度。当Ge从二维生长转 结构表征，来研究Ge量子点生长过程中浸润层随Ge 变为三维生长后，在相同的Ge沉积量条件下，高温生 溅射量增加以及随衬底温度的变化情况，为探索离子 长的量子点密度要远大于低温生长的密度，且高温生 束溅射自组装量子点的生长规律、生长机理提供有益 长量子点的尺寸要小于低温生长的量子点尺寸。 的参考。 关键词：离子束溅射；Ge量子点；浸润层；表面形貌； 2 实 验 Raman光谱 中图分类号：0484．1 文献标识码：A 合溅射设备的离子束溅射室内制备样品，基片为n型 1 引 言 的范围，厚度为0．40mm，Si衬底的预处理是使用标准 由于Si基Ge(Ge／Si)量子点材料优越的光电特 性，有望成为实现si材料发光的重要途径之一，已经 在光电子信息、国防、医疗影像、工业生产以及气象预 溶液中漂洗30s以去除基片表面的自然氧化层，同时 报等众多领域显示出巨大的应用潜力，近年来成为半 完成了对si片表面的氢钝化，用高纯氮气吹干后将衬 底放入真空腔。 导体光电材料的研究热点H。3]。由于Ge与Si之间 4．2％的晶格失配且Ge的表面能比Si低，使得Ge在生长过程中本底真空度优于3．0X10～Pa，溅射 Si上外延是典型的孓K模式[4]。即在量子点生长过 程中将分为二维生长、三维生长和岛的成熟3个阶 段[5]。其中二维生长阶段为浸润层形成过程，当浸润 长完后保持温度和真空度10min；然后进行Ge的生 层厚度达到一个临界值时，由于应力的作用将转变为 三维生长。而浸润层的生长情况对量子点形成有很大 Ge具体的生长参数如表1所示。 的影响，研究者已对其进行了大量研究。H．J．Kim 表1 Ge样品的生长参数 1 Ge TableThe of 等人[6]研究了浸润层对量子点大小的影响；S．A． growthparametersample Teys[7]研究了浸