利用多孔氧化铝模板生长锗纳米点研究.pdfVIP

2011年全国硅摹先屯子材料厦器件研讨尝 利用多孔氧化铝模板生长锗纳米点研究 皇甫幼睿张磊詹文博叶辉’ 浙扛大学现垡光学仪器国家重点实验室杭州310027 摘要： 本文利用多孔阳极氧化铝作为模板．将贴有模板的村底在分子柬外延生长系统中进行锗的沉积．通过 不同的工艺选择，研究，其对于自组装锚纳米点的有序性和周期性的影响。扫描电镜的结果证实此方法可 以获得尺寸小、均一且周期性良好的纳米点状结构。 1．背景 错纳米点在硅基光予学被广泛研究并应用于探测和拄光领域，除了高密度之外，尺寸的均匀性和空间 位置有序的错纳米点对于器件性能也具有重要意义。而硅基锗纳米点的生长出于其自组装特性使得尺寸的 均匀性一直难以获得令人满意的结果。 提升有序性的方法有多种，包括利用位错网络『l】，多层生长，咀及图形衬底”譬，而L3vchmv等日1曾报 O015A／W转换效率的器件。但总体来说，利用传统光刻技术获得尺寸小于50hm的结构咀厦将其排成有序 阵列，以获得令人满意的结构还是面临着很大挑战的14】。而多孔阳极氧化铝薄膜由于其自身良好的六角柱 形周期结构，且周期和厚度可调，是一个良好的天然模板。本文利用硅片表面的多孔氧化铝为模板，在硅 对底上生长锗纳米点．通过生长1：艺的优化，研充了锗纳米点的有序性和均匀性提高的方法。与其他报道 相比”J，有序错纳米点的尺寸大幅降低。 2实验 多孔阳极氧化铝是一种典型的自组装纳米结构材料．由于其具有成本低、耐高韫、绝缘性好、孔分布 均匀有序且太小可控等诸多优点”J。 多孔阳极氧化铝使用在锗纳米点的外延生长当中．除了对孔的尺寸控制外，更重要的是厚度不可太大， 否则蒸发出来的锗原于由于模板的阴影作用而无}击沉积到硅上。我们使用的多孔氧化铝模板是从常州大学 密的氧化层，经椭偏挫准，厚度约为1Snmm】。氧化铝模板制各好后通过图形转移，贴在清洗过的2英寸 硅片上，通孔”】，如图1所示。可以看出多孔氧化铝模板的尺寸均匀性和有序性非常良好。帆小闰的快速 傅里叶变换(FFT)的结果可以清晰的看出结构的周期性特征，为后面做有序生长形成了良好的模扳。 SOnm的氧化铝模板 圈1孔尺寸为Ia)样品AlOOnm恤)样品B 2011年辛国硅基光电子材料段器件研讨会 我们利用分子柬扑延生长设备对样品A和样品B进行锗纳米点的生长。锗束塬温度控制为1200摄氏 度．蒸发速率为0．5nm／rain。生长完毕的氧化铝模板利用物理方法剥离。 3结果与分析 由化学方法得到超薄$i02薄膜是自组装形成高密度6e锗纳米点的良好的缓冲层材料，井得到了广泛 研宄。在之前的研宄中．我们曾研究了不同温度和淀积厚度对于锗纳米点尺寸和密度的影响规律”】，井由 此为基础选择生长厚度和衬底温度。 只是物理吸附在硅片表面，村底的高韫在提高锗原子迁移率的同时，也造成了模扳一定程度的损伤。另外， 在每个孔的区域中有多个锗纳米点存在。在除掉模板之后，本来有模板的区域(b)中可以看到高密度的 锗纳米点的存在，密度可选到3．5×108cm 较时可以发现，虽然纳米点在有序性上并不明显，但纳米点的尺寸更小而密度更高。 且墨盏丑 鬟㈡i|黜 圈3有横板(左)和无模板(右)情况下锗纳米点尺寸分布对比 如图3所示，有模扳的纳米点尺寸集中在12nm左右，而无模板自组装生长的纳米点尺寸分布较宽． 主要分布在15—40nm左右。曼们认为．尺寸和密度的变化主要是由于在淀积过程中大量的锗原予消耗在了 侧壁和模板的上部，并且被模板结构限制了迁移，使得纳米点的尺寸均一性明显得到改善。 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 为了进一步降低淀静{锗原子的迁移率而褥到周期性更好的结构，我们在氧化铝孔洞大小为50nto的样 品B上淀积等效厚度为20hm的锗原子。 图4淀积ZOnm锗后获得的表面形貌及尺寸分布