顾英波 第五章1.docVIP

无机材料的电导 5.1 1.载流子：具有电荷的自由粒子，可以是电子、离子。载流子为电子的电导为电子电导，载流子为离子的电导为离子电导。 2.霍尔效应：电子电导的特征是具有霍尔效应。沿试样x轴方向通入电流I（电流效应Jx），Z轴方向加一磁场Hz，那么在y轴方向将产生一电场Ey，这一现象称为霍尔效应。 产生原因,电子在磁场的作用下，产生横向移动的结果，离子的质量比电子大的多，磁场不足以使它横向移动，因而纯离子电导不产生霍尔效应。 3.电解效应：它是离子电导的特征效应，离子的迁移伴随着一定的质量变化，离子在电极附近发生电子的得失，产生新的物质。电解物质与通过的电量成正比。 4.迁移率和电导率并表达式 导电的微观本质是载流子在电场的作用下的定向运动，单位面积S在单位体积内载流子的数为n，则单位体积内参加导电的电荷数为nq，则单位时间通过的单位截面的电荷量为J=nqv（电流密度）。又J=E/ρ则σ=J/E=nqv/E。令μ=V/E，称为迁移率。载流子在单位电场中迁移速度 称为电导率。 电导率的一般表达式为 上式反映电导率的微观本质，即宏观电导率σ与微观载流子的浓度 n，每一种载流子的电荷量 q以及每一种载流子的迁移率的关系。 5.电流密度：J=I/S I为电流，S为截面积，表示单位面积上流过的电流强度 5.2 离子电导：载流子为离子的电导，主要发生在离子晶体中，一类为源于晶体点阵的基本离子的运动，称为固有离子电导（本征电导），随自身热震动离开晶格形成热缺陷，第二类,固定较弱的离子的运动造成的。主要是杂质原子离子，称杂质电导。（较低温度下杂质电导显著） 2.载流子浓度 对于固有电导（本征电导），载流子由晶体本身热缺陷——弗仑克尔缺陷和肖脱基缺陷提供。 弗仑克尔缺陷的填隙离子和空位的浓度相等。都可表示为： N为单位体积内离子结点数 E为形成一个弗仑克尔缺陷所需能量 肖脱基空位浓度，在离子晶体中可表示为： N为单位体积内离子对数目 E为离解一个阴离子和一个阳离子并到达表面所需能量。 杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类。因为杂质离子的存在，不仅增加了电流载体数，而且使点阵发生畸变，杂质离子离解活化能变小。和固有电导不同，低温下，离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定。 3.离子迁移率：离子电导的微观机构为载流子-离子的扩散，图5.11 克服势垒的主要能量来源是热运动能。间隙原子热运动向邻近间隙跃迁，但无电场时，各方向的“跃迁”次数相同，无电荷的定向移动。故介质中无电导现象。加电场后，电场力的作用下，势垒不在对称，因此向各方向跃迁次数不同，有电荷的定向移动产生电导。μ=EN=σ2r0qe。 4.离子电导率：载流子浓度及迁移率确定以后，其电导率可按 确定，如果本征电导主要由肖脱基缺陷引起。本征电导率可写成： ——电导活化能，它包括缺陷形成能和迁移能。 杂质离子也可以仿照上式写出： 5.能斯特爱因斯坦方程 由电导率公与，可以建立扩散系数 和离子迁移率的关系： D为扩散系数 B为离子绝对迁移率 扩散又可分为①空位扩散；②间隙扩散；③亚晶格间隙扩散。 6.固体电解质的结构与性能:具有离子电导的固体物质称为固体电解质。实际上只有离子晶体可以形成。但必以下条件； 1）电子载流子的浓度小； 2）离子晶格缺陷浓度大并参与电导。 影响晶格缺陷生成和浓度的主要原因是： 1）由于热激励生成晶格缺陷。 2）不等价固溶掺杂形成晶格缺陷 3）离子晶体中正负离子计量比随气氛的变化发生偏离，形成非计量比化合物，因而产生晶格缺陷。 几乎所有的电解质都或多或少的具有电子电导。 例如：氧敏感陶瓷 工艺上，在ZrO2加入10～20%mol比的CaO，在1600℃以上烧结， 即可获得稳定化ZrO2。若加入了15%mol比的CaO，其分子式为：Ca0.15Zr0.85O1.85，这是不完整化学成分的晶体(相对于ZrO2而言)，氧离子少了0.15个。结果，在晶体中，氧离子就很容易活动，而CaO和ZrO2很难还原 此时，晶体中不存在自由电子，导电性则主要由氧离子的运动造成。 5.3 1.电子电导：载流子为电子或空穴，主要发生在导体和半导体中。能带理论指出，在具有严格周期性电场的理想晶体中的电子和空穴，在绝对零度下运动象理想气体在真空中的运动一样，电子运动时不受阻力，迁移率为无限大。只有当周期性受到破坏时，才产生阻碍电子运动的条件。产生阻碍的来源是：晶格热震动、杂质的引入、位错和裂缝。 2.电子迁移率 ，载流子浓度，为电子的有效质量，晶体中电子的运动状态也可写为的形式。晶格场中电子迁移率为 能带结构简图的解释 根据能带理论，晶体中并非所有电子，也并非所有的价电子都参与导电，只有导带中的电子或价带