BaTiO3晶体薄膜PLD法生长工艺参量研究.pdfVIP

第 43卷第 5期 光 子 学 报 Vo1．43NO．5 2014年 5月 ACTA PH0T0NICA SINICA M ay2O14 doi：10．3788／gzxb2O1443O5．053J002 BaTiO3晶体薄膜 PLD法生长工艺参量研究 张静 ，付秀华 ，杨飞 ，杨彬。，孙德贵 (1长春理T大学，长春 130022) (2中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 ，长春 130033) (3哈尔滨T业大学 ，哈尔滨 150001) 摘 要：采用脉冲激光沉积方法在单晶Mg0基 片上外延生长了BaTiO。晶体薄膜．为改善薄膜的结晶 质量和表面粗糙度，研究并优化了生长工艺中生长温度和激光能量两个参量，并对薄膜样片实行原位 退火．找到 了BaTi0 薄膜在优先方向上的结 晶效果 ，分析 了结晶质量对生长温度 的依赖关系和不 同激 光能量对结晶薄膜的表面粗糙度的影响．利用X射线衍射仪测定结晶效果与特性 ，原子力显微镜表征 BaTi0。薄膜的结晶表面形貌与粗糙度．测试结果表 明，在 C轴取向生长BaTiO 薄膜，在 (001)和(002) 方 向上都出现强度很高的尖锐衍射峰，具有较好的结晶质量和较小的表面粗糙度，原子力显微镜测定 出薄膜的表面粗糙度为 0．563nm． 关键词：光学薄膜；光谱分析 ；真空镀膜；光学特性；生长温度；激光能量；结晶质量；表面粗糙度 中图分类号 ：0484 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—4213(2014)05—0531002—5 Growth ProcessParametersofBaTiO3CrystalThinFilm in PLD M ethod ZHANG Jing ，FU Xiu—hua ，YANG Fei。，YANG Bin。，SUN De—gui (1ChangchunUniversityofScienceandTechnology，Changchun130022，China) (2Changchun InstituteofOptics，FineM echanicsandPhysics，ChineseAcademyofSciences， Changchun 130022，China) (3HarbinInstituteofTechnology，Harbin150001，China) Abstract：BaTi03(BTo)waveguidethinfilmswerepreparedbypulsedlaserdeposition (PLD)on single crystalM gO substrate．Inorderto improvethecrystallinequalityandsurfaceroughness，tWOprocess parametersofgrowthtemperatureandlaserenergywerestudiedandoptimized，andthefilm samplewas conductedin-situannealing．ThecrystallizationeffectofBTO thinfilm wasfoundinthefirstdirection． Thedependentrelationsofqualitycharacteristicsandgrowthtemperaturewereanalyzed，andtheeffects ofdifferentlaserenergyonthecrystallinefilm surfaceroughnesswerestudied．Thecrysta