金属有机物气相外延生长的InN结构性质.pdfVIP

摘要 InN半导体电子迁移率、饱和漂移速率和渡越速度较高、带隙和电子有效质 量较小，在未来高速高频厘米和毫米波电子器件、太赫兹辐射器件、高效太阳能 电池等光电子领域有着重要的应用前景，使其成为近年来国际研究的热点。然而， 由于InN低的离解温度、不稳定的化学剂量、高的氮气分子平衡蒸汽压、以及缺 少匹配的衬底，使得制备高质量InN单晶薄膜非常困难。为此，本文利用MOVPE 生长技术，通过调节不同的实验参数(包括生长温度、反应室压强以及V／III比)， 在蓝宝石衬底、GaN缓冲层上外延InN薄膜样品。运用原位监控干涉仪、SEM、 XRD以及拉曼散射等不同的表征手段，结合基于第一性原理的ABINIT软件包 计算的InN不同结构相声子谱，从实验测试和理论分析两方面开展了较系统的研 究。主要得到如下结论： 不同温度(450．650℃)生长的InN晶体质量有显著差异。低温下生长的 样品表面平整度较好，晶粒尺寸较小；随生长温度增加，晶粒逐渐聚集，变大， 成三维岛。结合XRD、拉曼散射谱以及InN声子色散曲线计算结果分析可知， 所有的样品均以纤锌矿结构InN为主，并带有少量闪锌矿结构。550℃温度下生 长的样品的晶体平整度、结构性质、以及相纯度都比较好；450℃样品的相纯度 与晶体结构性质次于550℃，可能是低温不利于源物质在其表面的迁移，易形 成缺陷，特别是在较低温度(400．500℃)容易形成的InN闪锌矿结构相。较高 温度下的样品无论从表面形貌、结构性质还是相纯度来说，都不理想，特别是当 生长温度高于600℃时，XRD和拉曼谱中都出现了非纤锌矿结构和闪锌矿结构 的未知结构峰。这可归因于InN热稳定性差，不易在表面附着并均匀成核，生长 过程中易出现热腐蚀，结构不稳定等因素。 基于550℃最优生长温度，通过调节不同压强(150．450Torr)和V／III比 (7000．25000)，进一步考察了InN外延条件对结构性质的影响。综合研究表明， 在本文调节的反应室压强和V／III比范围内晶体结构性质的变化不如温度显著， 但其中450Torr的压强和7000的V／III比所外延的晶体结构性质略好。 关键词：InN结构相第一性原理模拟MOVPE Abstract InNhas much Inthe decadeforthefabricationoffuture attractedattention past electronicand toitsremarkable optoelectronicdevices，owing physicalproperties suchassmall effective drift electron electron smallband mass，high velocity，and very to InN low becauseofthe dissociation gap．Itis，however，difficultgrow temperature， the of thelackofsuitablesubstrates hi曲vaporpressurenitrogenmolecules，and materialsfor epitaxialgrowth． Inthis thinfilmswere onGaN with study,InN